[發(fā)明專利]處理膜的系統(tǒng)和方法以及薄膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680052322.4 | 申請日： | 2006-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN101617069A | 公開（公告）日： | 2009-12-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | J·S·艾姆 | 申請（專利權(quán)）人： | 紐約市哥倫比亞大學(xué)理事會 |
| 主分類號： | C30B13/00 | 分類號： | C30B13/00;C30B21/04;C30B28/08;C30B19/00;C30B17/00;H01L21/00;H01L21/84;H01L21/20;H01L29/04;H01L31/036 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 處理 系統(tǒng) 方法 以及 薄膜 | ||
1.一種處理膜的方法，該方法包括：
(a)在膜中限定要被預(yù)結(jié)晶化的多個間隔開的區(qū)域，該膜位于基 底上并能夠通過激光誘導(dǎo)熔化；
(b)產(chǎn)生具有一定通量的激光束，選擇該通量以在膜中形成固體 和液體的混合物，并且，在被照射的區(qū)域中，在整個膜厚度上，使該 膜的一部分被熔化；
(c)相對于激光束定位該膜，以準備至少部分地預(yù)結(jié)晶化所述多 個間隔開的區(qū)域中的第一區(qū)域；
(d)將該激光束沿著激光束光路引導(dǎo)到具有多個小平面的旋轉(zhuǎn)盤 上，該旋轉(zhuǎn)盤使該光束改變方向，以便用該光束沿著第一方向以第一 速度掃描該第一區(qū)域的第一部分，其中，選擇該第一速度，使得該光 束照射并在該第一區(qū)域的第一部分中形成固體和液體的混合物，其 中，所述第一區(qū)域的第一部分在冷卻時形成晶粒，該晶粒在至少單獨 一個方向上具有占主導(dǎo)地位的相同的結(jié)晶取向；以及
(e)采用激光誘導(dǎo)熔化使該第一區(qū)域的至少第一部分結(jié)晶化。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中激光束為連續(xù)波。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進一步包括：相對于激光 束重新定位該膜，以準備至少部分地預(yù)結(jié)晶化該多個間隔開的區(qū)域中 的第二區(qū)域；以及移動該旋轉(zhuǎn)盤以便用該激光束沿著第一方向以第一 速度掃描該第二區(qū)域的第一部分，其中該第二區(qū)域的第一部分在冷卻 時形成晶粒，該晶粒在所述至少單獨一個方向上具有占主導(dǎo)地位的相 同的結(jié)晶取向。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中進一步選擇所述第一速度，使 得由激光束產(chǎn)生的熱量基本上不損壞基底。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個小平面將所述激光束 反射到該膜上。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一速度為至少0.5m/s。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一速度為至少1m/s。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進一步包括：在用旋轉(zhuǎn)盤 使激光束改變方向以便掃描該第一區(qū)域的第一部分后，相對于激光束 在第二方向上平移該膜以便用該激光束沿著第一方向以第一速度掃描 該第一區(qū)域的第二部分，其中該第一區(qū)域的第二部分在冷卻時形成晶 粒，該晶粒在所述至少單獨一個方向上具有占主導(dǎo)地位的相同的結(jié)晶 取向。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一區(qū)域的第二部分與所 述第一區(qū)域的第一部分部分重疊。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，所述方法包括在第二方向上以第 二速度連續(xù)平移該膜，選擇該第二速度，以在所述第一區(qū)域的第一部 分和第二部分之間提供預(yù)定的重疊量。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，所述方法包括在第二方向上以第 二速度連續(xù)平移該膜一段時間，選擇該段時間來順序照射該第一區(qū)域 的多個部分，其中所述多個部分中的每一個在冷卻時形成晶粒，該晶 粒在所述至少單獨一個方向上具有占主導(dǎo)地位的相同的結(jié)晶取向。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述至少單獨一個方向上 的所述結(jié)晶取向基本上垂直于膜表面。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述至少單獨一個方向上 的所述結(jié)晶取向為<100>取向。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中結(jié)晶化所述第一區(qū)域的至少 第一部分包括執(zhí)行均勻的順序橫向結(jié)晶。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述均勻的順序橫向結(jié)晶包 括行掃描順序橫向結(jié)晶。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中結(jié)晶化所述第一區(qū)域的至少 第一部分包括執(zhí)行點順序橫向結(jié)晶。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中結(jié)晶化所述第一區(qū)域的至少 第一部分包括執(zhí)行受控的超級橫向生長結(jié)晶。
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