[發明專利]相變存儲器材料、裝置和方法無效
| 申請號： | 200680048622.5 | 申請日： | 2006-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN101346776A | 公開（公告）日： | 2009-01-14 |
| 發明（設計）人： | D·W·赫瓦克;R·J·庫瑞;M·K·A·梅拉加;R·E·辛普森 | 申請（專利權）人： | 南安普敦大學 |
| 主分類號： | G11C16/02 | 分類號： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 英國;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 存儲器 材料 裝置 方法 | ||
1.一種包括相變材料的相變存儲裝置，其中所述相變材料是以下元素的化合物，所述元素包括：
(i)鎵；
(ii)鑭系元素；和
(iii)硫屬化物。
2.權利要求1所述的裝置，其中所述鑭系元素由La組成，所述硫屬化物由S組成。
3.根據權利要求2所述的裝置，其中Gaw，Lax，Sy的原子比在以下范圍內：25＜w＜35，5＜x＜15，50＜y＜70。
4.根據權利要求2所述的裝置，其中所述化合物由至少99％的Ga、La和S原子構成。
5.根據權利要求2所述的裝置，其中Ga∶S的原子比是大約2∶3，La∶S的原子比是大約2∶3。
6.根據權利要求5所述的裝置，其中Ga與La的原子比是3∶1，從而Ga∶La∶S的原子比是大約3∶1∶6。
7.根據權利要求2所述的裝置，其中Gaw，Lax，Sy的原子比在以下范圍內：5＜w＜15，25＜x＜35，50＜y＜70。
8.根據權利要求7所述的裝置，其中所述化合物由至少99％的Ga、La和S原子構成。
9.根據權利要求7所述的裝置，其中Ga∶S的原子比是大約2∶3，La∶S的原子比是大約2∶3。
10.根據權利要求9所述的裝置，其中Ga與La的原子比是1∶3，從而Ga∶La∶S的原子比是大約1∶3∶6。
11.根據權利要求2所述的裝置，其中Gaw，Lax，Sy的原子比在以下范圍內：15＜w＜25，15＜x＜25，50＜y＜70。
12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述化合物由至少99％的Ga、La和S原子構成。
13.根據權利要求11所述的裝置，其中Ga∶S的原子比是大約2∶3，La∶S原子比是大約2∶3。
14.根據權利要求13所述的裝置，其中Ga與La的原子比是1∶1，從而Ga∶La∶S的原子比是大約2∶2∶6。
15.權利要求1所述的裝置，其中所述鑭系元素由La組成，所述硫屬化物由Te組成。
16.根據權利要求15所述的裝置，其中Gaw，Lax，Tey的原子比在以下范圍內：25＜w＜35，5＜x＜15，50＜y＜70。
17.根據權利要求15所述的裝置，其中所述化合物由至少99％的Ga、La和Te原子構成。
18.根據權利要求15所述的裝置，其中Ga∶Te的原子比是大約2∶3，La∶Te的原子比是大約2∶3。
19.根據權利要求18所述的裝置，其中Ga與La的原子比是3∶1，從而Ga∶La∶Te的原子比是大約3∶1∶6。
20.根據權利要求15所述的裝置，其中Gaw，Lax，Tey的原子比在以下范圍內：5＜w＜15，25＜x＜35，50＜y＜70。
21.根據權利要求20所述的裝置，其中所述化合物由至少99％的Ga、La和Te原子構成。
22.根據權利要求20所述的裝置，其中Ga∶Te的原子比是大約2∶3，La∶Te的原子比是大約2∶3。
23.根據權利要求22所述的裝置，其中Ga與La的比是1∶3，從而Ga∶La∶Te的原子比是大約1∶3∶6。
24.根據權利要求15所述的裝置，其中Gaw，Lax，Tey的原子比在以下范圍內：15＜w＜25，15＜x＜25，50＜y＜70。
25.根據權利要求24所述的裝置，其中所述化合物由至少99％的Ga、La和Te原子構成。
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