[發明專利]制造半導體器件的方法

無效

• 申請號: 200680047950.3
• 申請日: 2006-12-18
• 公開（公告）號: CN101341590A
• 公開（公告）日: 2009-01-07
• 發明（設計）人: 簡·桑斯基;韋伯·D·范諾爾特
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳源;張天舒

1.一種制造半導體器件的方法，其包括以下步驟：

形成分層結構，該分層結構至下而上包括：襯底、下刻蝕停止層、犧牲層、上刻蝕停止層和半導體層；

形成穿過所述半導體層和所述上刻蝕停止層的第一組溝槽；

形成穿過所述半導體層、所述上刻蝕停止層、所述犧牲層和所述下刻蝕停止層的第二組溝槽；

填充所述第二組溝槽，以提供所述半導體層和所述襯底之間的支撐結構；

通過所述第一組溝槽，用對所述上刻蝕停止層和所述下刻蝕停止層具有選擇性的刻蝕來刻蝕所述犧牲層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中首先在與形成所述第一組溝槽相同的步驟中形成所述第二組溝槽的第一部分，被形成的第一組溝槽和第二組溝槽的第一部分均穿過所述半導體層和穿過所述上刻蝕停止層，所述方法還包括以下步驟：

在刻蝕透所述第二組溝槽的第一部分的底部、所述犧牲層和所述下刻蝕停止層以形成所述第二組溝槽之前，在所述第一組溝槽的底部沉積阻擋材料，以覆蓋所述犧牲層的暴露表面；以及

在所述選擇性刻蝕所述犧牲層的步驟之前，至少刻蝕掉所述阻擋材料的一部分，以暴露所述犧牲層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第一和第二組溝槽中的一組比另一組寬，以及其中所述方法還包括以下步驟：

在所述第一和第二組溝槽已經形成之后，在所述半導體層上沉積一層，所述層所具有的厚度能填充較窄的一組溝槽，而不能填充較寬的一組溝槽。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述第二組溝槽比所述第一組寬，以及其中所述沉積的層充當所述第一組溝槽底部的沉積阻擋材料，以覆蓋所述犧牲層的暴露表面。

5.根據權利要求3所述的方法，其中所述第一組溝槽比所述第二組寬，以及其中所述沉積的層是對所述第一組溝槽的側壁進行覆蓋的非氧化層，以及其中在第一組溝槽的底部沉積阻擋材料的步驟涉及對其底部進行氧化，以及所述方法還包括以下步驟：

在刻蝕透第二組溝槽底部的步驟之前，從第二組溝槽去除所述沉積的層。

6.根據前述權利要求中的任一權利要求所述的方法，其還包括以下步驟：

在刻蝕掉所述犧牲層后，用絕緣材料填充所述第一組溝槽，以便提供懸空半導體結構。

7.根據權利要求6所述的方法，其還包括以下步驟：

在被支撐的半導體層上處理半導體器件和/或電路；以及

通過打斷所述支撐結構，將所述半導體層與所述襯底分離。

8.根據權利要求7所述的方法，其中通過在刻蝕溶液中對所述半導體層和襯底進行水浴來打斷所述支撐結構。

9.根據權利要求7所述的方法，其中通過對所述支撐結構施加壓力水或氣流來打斷所述支撐結構。

10.根據權利要求7到9中的任一權利要求所述的方法，其還包括以下步驟：

在分離所述半導體層的步驟之前，

在處理過的半導體層上沉積掩模層；

形成掩模層圖案，以暴露所述半導體層表面的被選部分；

干法刻蝕透所暴露的部分，以將所述處理過的半導體層劃分為多個分立的部分，每部分均由所述支撐結構的各個部分支撐著。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所暴露的部分的尺寸小于1μm。

12.根據權利要求7到9中的任一權利要求所述的方法，其中在所述半導體層被分離之后，所述襯底被重新使用來重復所述方法。

13.根據權利要求1到5中的任一權利要求所述的方法，其中用絕緣層填充由去除的犧牲層所提供的空腔，以提供絕緣體上半導體結構。

14.根據前述權利要求1到5中的任一權利要求所述的方法，其中所述第二組溝槽形成了所述半導體層上的溝槽柵格。