[發明專利]用于無源集成器件的ESD保護

有效

• 申請號: 200680047227.5
• 申請日: 2006-11-29
• 公開（公告）號: CN101331658A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 阿格尼·米特拉;達雷爾·G·希爾;卡思克·拉賈戈帕蘭;阿道夫·C·雷耶斯
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H02H9/00
• 分類號: H02H9/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 黃啟行;陸錦華

1.一種具有ESD保護的集成裝置，包括：

一個或多個無源元件，具有可能暴露于ESD瞬變的部分；和

一個或多個電荷泄漏電阻，其耦合在所述可能暴露于ESD瞬變的 部分之間，其中所述電阻具有比所述一個或多個無源元件在其正常操 作頻率下的阻抗大很多的阻值。

2.如權利要求1所述的裝置，其中所述一個或多個無源元件在半 絕緣基板上形成，并且其中所述裝置進一步包括電氣引線，該電氣引 線將所述可能暴露于ESD瞬變的部分耦合到所述半絕緣基板上的分隔 的接觸，由此所述電荷泄漏電阻由所述分隔的接觸之間的基板電阻形 成。

3.如權利要求1所述的裝置，其中所述一個或多個無源元件在絕 緣基板上形成，并且其中所述裝置進一步包括：

高電阻率的層，其在所述一個或多個無源元件下面在基板上形成； 和

電氣引線，其將所述可能暴露于ESD瞬變的部分耦合到所述高電 阻率的層上的分隔的接觸，由此所述電荷泄漏電阻由所述分隔的接觸 之間的層電阻形成。

4.如權利要求1所述的裝置，其中所述一個或多個無源元件在傳 導基板上形成，并且其中所述裝置進一步包括：

所述基板上的絕緣層，該絕緣層使所述元件同所述基板電氣隔離；

高電阻率的層，在所述一個或多個無源元件下面在絕緣層上形成； 和

電氣引線，其將所述可能暴露于ESD瞬變的部分耦合到所述高電 阻率的層上的分隔的接觸，由此所述電荷泄漏電阻由所述分隔的接觸 之間的層電阻形成。

5.如權利要求1所述的裝置，其中所述電荷泄漏電阻至少大于所 述裝置在其正常關注操作頻率下的阻抗大約100倍。

6.如權利要求5所述的裝置，進一步包括有源器件，該有源器件 具有耦合到所述一個或多個電荷泄漏電阻的至少一個接線端。

7.如權利要求1所述的裝置，其中所述電荷泄漏電阻至少大于所 述裝置在其正常關注操作頻率下的阻抗大約500倍。

8.如權利要求1所述的裝置，其中所述電荷泄漏電阻至少大于所 述裝置在其正常關注操作頻率下的阻抗大約1000倍。

9.一種ESD保護集成電子裝置，包括：

電感器；

耦合到所述電感器的電容器；

耦合到所述電感器和所述電容器的兩個接線端；和

耦合在所述兩個接線端之間的一個或多個電荷泄漏電阻；

其中所述一個或多個電荷泄漏電阻具有比所述裝置在其正常操作 頻率下在所述兩個接線端之間測量的阻抗大很多的值。

10.如權利要求9所述的裝置，其中所述一個或多個電荷泄漏電 阻具有至少大于所述裝置在其正常操作頻率下在所述兩個接線端之間 測量的阻抗大約100倍的阻值。

11.如權利要求9所述的裝置，其中所述一個或多個電荷泄漏電 阻具有至少大于所述裝置在其正常操作頻率下在所述兩個接線端之間 測量的阻抗大約1000倍的阻值。

12.如權利要求9所述的裝置，其中所述一個或多個電荷泄漏電 阻中的至少一個耦合到所述電感器。

13.如權利要求9所述的裝置，其中所述一個或多個電荷泄漏電 阻中的至少一個耦合到所述電容器。

14.如權利要求9所述的裝置，其中所述一個或多個電荷泄漏電 阻中的至少一個耦合在所述兩個接線端之間。