[發明專利]用于除去配線基板的殘渣的組合物以及洗滌方法

有效

• 申請號: 200680047115.X
• 申請日: 2006-12-14
• 公開（公告）號: CN101331811A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 桑原英子;柏木秀王;松永裕嗣;大戶秀
• 申請（專利權）人: 三菱瓦斯化學株式會社
• 主分類號: H05K3/26
• 分類號: H05K3/26;B08B3/08;C11D7/18;C11D7/32;C11D7/60;H01L21/304
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

技術領域

本發明涉及制備半導體集成電路、液晶面板、有機電致發光(以下，簡稱為EL)面板、印刷電路板等配線基板時使用的用于除去殘渣的組合物以及洗滌方法，更詳細地說涉及用于除去含有鈦或鈦合金的配線基板的殘渣的組合物以及洗滌方法。

背景技術

在半導體集成電路、液晶面板、有機EL面板、印刷電路板等配線基板的制備工藝中，在基板表面形成電路時，在基板表面涂布抗蝕劑、光掩模，并將抗蝕劑顯像后，通過干刻工序形成配線。由于在干刻工序后的圖案側面和底面附著有來自抗蝕劑的殘渣和來自集成電路中使用的元件的殘渣，因此有必要除去該殘渣。

作為用于除去附著在該干刻工序后的基板上的殘渣的方法，研究了濕工序，已經公開了例如使用由羥胺、醇胺和沒食子化合物形成的剝離用組合物的方法(專利文獻1)，使用由氟化合物、有機溶劑形成的抗蝕劑剝離用組合物的方法(專利文獻2)，使用由過氧化氫、季胺鹽和緩蝕劑形成的抗蝕劑剝離用組合物的方法(專利文獻3)，使用由過氧化氫、硫酸胺、氟化合物、螯合劑形成的抗蝕劑剝離用組合物的方法(專利文獻4)等。

關于在通過該濕工序來除去殘渣的工藝中使用的抗蝕劑剝離用組合物，希望其對銅、鋁、鈦以及它們的合金等的配線材料、絕緣膜材料和擴散防止膜材料的腐蝕性低，特別是伴隨著近年來半導體集成電路等的微細化，容許的腐蝕性的標準極其嚴格。

但是，上述通過濕工序的方法對鈦或鈦合金的腐蝕性大，難以在使用鈦或鈦合金的配線基板的制備中的除去殘渣的工序中使用。

專利文獻1：特開平9-296200號公報

專利文獻2：特開平11-67632號公報

專利文獻3：特開2002-202617號公報

專利文獻4：特開2004-325918號公報

發明內容

本發明的目的是提供一種在制備配線基板時不會腐蝕腐蝕性高的鈦或鈦合金，且可以有效除去來自干刻后殘留的抗蝕劑或金屬的殘渣的用于除去殘渣的組合物以及洗滌方法。

本發明人就上述問題進行了深入的研究，結果發現含有氧化劑和唑系化合物、且pH為1-7的組合物不會腐蝕鈦或鈦合金，且可以有效除去干刻后的抗蝕劑殘渣或來自作為配線材料的銅、鋁、鈦等的金屬的殘渣，從而完成本發明。

即本發明提供了以下的用于除去配線基板的殘渣的組合物以及洗滌方法。

1、一種用于除去配線基板的殘渣的組合物，其特征在于，所述組合物含有氧化劑和唑系化合物，且pH為1-7。

2、根據上述1所述的用于除去配線基板的殘渣的組合物，其中，所述氧化劑為選自過氧化氫、臭氧、高錳酸鉀、過碳酸及其鹽、過磷酸及其鹽、過硫酸及其鹽、碘酸及其鹽、溴酸及其鹽、高氯酸及其鹽、氯酸及其鹽、次氯酸及其鹽中的至少一種。

3、根據上述2所述的用于除去配線基板的殘渣的組合物，其中，所述氧化劑為過氧化氫。

4、根據上述1至3中任意一項所述的用于除去配線基板的殘渣的組合物，其中，所述唑系化合物為三唑系化合物和/或四唑系化合物。

5、根據上述1至4中任意一項所述的用于除去配線基板的殘渣的組合物，其中，所述唑系化合物的含量為0.0001-5質量％。

6、根據上述3至5中任意一項所述的用于除去配線基板的殘渣的組合物，其中，所述過氧化氫的含量為0.01-20質量％。

7、一種配線基板的洗滌方法，其特征在于，使用上述1至6中任意一項所述的用于除去配線基板的殘渣的組合物，以除去干刻后的配線基板的殘渣。

8、根據上述7所述的配線基板的洗滌方法，其中，所述配線基板含有鈦和/或鈦合金。

通過使用本發明的用于除去配線基板的殘渣的組合物，在半導體集成電路、液晶面板、有機EL面板、印刷電路板等配線基板中，特別是在含有鈦的配線基板中，可以不腐蝕鈦或鈦合金而有效除去來自干刻后殘留的抗蝕劑、銅、鋁、鈦等金屬的殘渣物，可以有效制備使用了該配線基板的半導體裝置。

附圖說明

圖1是實施例和比較例中使用的、通過蝕刻處理制作了通孔結構(バイア構造)和溝槽結構的硅片基板的剖面圖。圖中，在銅配線上正確制備了通孔和溝槽，但是實際上通孔和溝槽有偏移，此時會露出部分鈦。

附圖標記說明

1：硅基板、2：碳摻雜二氧化硅(炭素ド一プト酸化ケイ素)、3：抗蝕劑、4：銅、5：鈦、6：干刻殘渣物

具體實施方式

以下對本發明作詳細的說明。