[發明專利]用于制造光伏器件的系統及方法無效
| 申請號: | 200680043927.7 | 申請日: | 2006-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN101313409A | 公開(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發明(設計)人: | 湯姆·拉斯特 | 申請(專利權)人: | 湯姆·拉斯特 |
| 主分類號: | H01L31/00 | 分類號: | H01L31/00 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 柳春雷 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 器件 系統 方法 | ||
1.一種形成光伏電池的方法,包括以下步驟:
將掩膜層沉積在大致平面的晶體材料件上;并且
對所述晶體材料件進行蝕刻以在所述晶體材料中形成多個大致平行的槽,所述槽形成多個大致平面條,每一個條均大致從所述晶體材料件的一邊沿所述條的方向向所述晶體材料件的另一邊延伸,各個條的寬度均大致與所述晶體材料件的厚度相同。
2.根據權利要求1所述的方法,還包括:
將所述條從所述晶體材料件分離;并且
對所述條進行切片以形成多個矩形電池。
3.根據權利要求1所述的方法,其中:
從由硅、鍺以及砷化鎵構成的組中選擇所述晶體材料。
4.根據權利要求1所述的方法,還包括:
在所述多個條中每一個條上均形成具有與所述各個條的塊摻雜相反的摻雜的層。
5.根據權利要求4所述的方法,其中:
形成具有與所述各個條的塊摻雜相反的摻雜的層的步驟包括在所述各個條上進行POCl3擴散。
6.根據權利要求2所述的方法,還包括:
在各個矩形電池的頂表面及底表面上形成觸點。
7.根據權利要求2所述的方法,還包括:
在各個矩形電池的相對側上形成觸點。
8.根據權利要求7所述的方法,其中:
在相對側上形成觸點的步驟包括在各個矩形電池的第一側形成第一組觸點并在第二側形成第二組觸點,對各組觸點的數量及位置其中至少一者進行選擇以提供正確的觸點連接,而無論所述各個電池相對于連接器件的取向如何。
9.根據權利要求1所述的方法,其中:
使用所述掩膜層來在所述晶體材料中形成平行槽的非矩形區域。
10.根據權利要求1所述的方法,其中:
沉積掩膜層的步驟包括將所述掩膜層沉積在大致平面<1,1,0>取向硅上。
11.根據權利要求1所述的方法,還包括:
對所述多個條進行切片以形成具有約20∶1或更小邊緣比的矩形電池。
12.根據權利要求1所述的方法,其中:
所述掩膜層包括用于形成所選擇的槽的圖案區域,使得得到的所述條使用所述晶體材料件的表面的至少80%。
13.根據權利要求1所述的方法,還包括:
將抗反射涂料沉積在各個條的表面上。
14.根據權利要求1所述的方法,還包括:
對各個條的至少一個表面進行紋理處理。
15.根據權利要求2所述的方法,還包括:
將各個矩形電池布置在襯底上。
16.根據權利要求15所述的方法,其中:
所述襯底為導電襯底、低溫襯底以及柔性襯底其中至少一者。
17.根據權利要求15所述的方法,還包括:
沉積額外層以形成多結器件。
18.根據權利要求15所述的方法,還包括:
通過從并聯、串聯、并聯-串聯以及串聯-并聯連接中選擇的方法來對所述電池的至少一部分進行連接。
19.一種光伏電池,包括:
矩形晶體管芯,其具有形成二極管的至少兩個相反摻雜區域,所述管芯具有約2mm或更小的寬度、約40mm或更小的長度、以及約100μm或更小的厚度;以及
成對觸點,其布置在所述晶體管芯的相對邊緣。
20.根據權利要求19所述的光伏電池,其中:
所述成對觸點被布置在所述管芯的頂邊緣及底邊緣其中一者上或者被布置在所述管芯的相對側邊緣上。
21.根據權利要求19所述的光伏電池,其中:
所述成對觸點是所述晶體管芯的第一邊緣上的第一組觸點以及所述晶體管芯的第二邊緣上的第二組觸點中的一部分,所述第一邊緣與所述第二邊緣相對,由此允許所述晶體管芯被布置在位于任意取向的大致共面光伏電池的陣列中。
22.根據權利要求19所述的光伏電池,其中:
所述矩形晶體管芯大致呈方形。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湯姆·拉斯特,未經湯姆·拉斯特許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680043927.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體表面處理劑
- 下一篇:通過按扣可附接至衣服的徽章以及具有該按扣的衣服
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





