[發(fā)明專利]用于連續(xù)材料的等離子處理設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680039443.5 | 申請日: | 2006-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN101490793A | 公開(公告)日: | 2009-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 彼得·齊格;普利莫茲·艾澤爾特 | 申請(專利權(quán))人: | 彼得·齊格;普利莫茲·艾澤爾特 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京華夏正合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 孫 征 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 奧地利;AT |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 連續(xù) 材料 等離子 處理 設(shè)備 | ||
1.一種用于連續(xù)材料的等離子處理設(shè)備,包括至少一個可抽真空的放電室(3a),連續(xù)材料(1)被連續(xù)地運送穿過該放電室,各放電室(3a)具有外電極(5,51-57),所述的外電極相對連續(xù)材料電絕緣設(shè)置,還包括用于設(shè)定至少一個放電室內(nèi)的氣氛的裝置和用于將放電能輸送到放電路徑(G)的供能裝置(30),所述的放電路徑界定于各個獨立的放電室的外電極與作為內(nèi)電極的連續(xù)材料之間,其特征在于,供能裝置(30)是一個以脈沖形式釋放放電能的固有電流源,該電流源設(shè)置有至少一個用作儲能元件的、保持放電電流持續(xù)恒定的電感(32),所述儲能元件和與之配屬的放電路徑(G)相連,或依次和與之配屬的多個放電路徑相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于,在一個能量輸出脈沖內(nèi),至少一個電感(32)總是與正好一個放電路徑(G)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其特征在于,在能量輸出脈沖間隔內(nèi)完成不同放電路徑的轉(zhuǎn)換。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備,其特征在于,電感(32)僅在能量輸出脈沖內(nèi)充電。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備,其特征在于,電感(32)僅在能量輸出脈沖間隔內(nèi)充電。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備,其特征在于,供能裝置(30)具有輸出限壓電路(33)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其特征在于,供能裝置具有電子轉(zhuǎn)換電路,用于將任何所需極性的能量脈沖輸送給放電路徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備,其特征在于,在至少一個供能裝置的電感與至少一個放電室之間設(shè)置至少一個補償電路,以分別抑制或補償寄生高頻效應(yīng)及其影響。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其特征在于,所述補償電路為導(dǎo)線的電感或放電室和電極各自的電容。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備,其特征在于,依次設(shè)置多個放電室,所述連續(xù)材料穿過該放電室,而不在放電室內(nèi)或放電室之間產(chǎn)生接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備,其特征在于,提供高效磁體組件(6,6’),該磁體組件在外電極(5)的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生至少為120mT的強磁場,所述磁場的方向與連續(xù)材料平行。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其特征在于,所述磁場為400mT。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其特征在于,所述磁場為700mT。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其特征在于,所述高效磁體組件(6’)設(shè)計為用于產(chǎn)生在其整個縱向延伸過程中均勻分布的磁場。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備,其特征在于,所述高效磁體組件(6’)為包圍外電極并且與連續(xù)材料(1)同軸設(shè)置的線圈(63)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備,其特征在于,所述線圈設(shè)計為冷卻式。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備,其特征在于,所述線圈設(shè)計為液冷式線圈。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備,其特征在于,所述磁體為超導(dǎo)電磁體。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其特征在于,所述高效磁體組件(6)設(shè)計為用于產(chǎn)生在其整個縱向延伸過程上不均勻分布的磁場,并且該磁場的最大值決定了連續(xù)材料處理強度的最大值。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備,其特征在于,所述高效磁體組件(6)設(shè)計為永磁體組件該永磁體形成具有多邊形橫截面的棱柱的側(cè)壁。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備,其特征在于,所述組件由各向異性的永磁體(61)組成。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備,其特征在于,所述組件由釹鐵硼(NdFeB)永磁體制成。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備,其特征在于,設(shè)置鐵軛元件(62),其用于集中氣體放電區(qū)域內(nèi)永磁體裝置(6)的磁場。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的設(shè)備,其特征在于,所述永磁體的磁化方向沿著棱柱的橫截面的徑向。
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