[發(fā)明專利]由溶液加工制得的納米晶體太陽能電池

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680039165.3
• 申請(qǐng)日: 2006-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN101292366A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·P·阿里維沙托斯;I·古爾;D·米利龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 加利福尼亞大學(xué)董事會(huì)
• 主分類號(hào): H01L31/04
• 分類號(hào): H01L31/04
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陳哲鋒

1.一種光電設(shè)備，其包括：

第一電極層；

設(shè)置在第一電極上的高電阻率透明膜；

第二電極層；和

設(shè)置在第一和第二電極層之間的無機(jī)光活性層，其中，所述無機(jī)光活性層 被設(shè)置成至少部分地與高電阻率透明膜電接觸且至少部分地與第二電極電接 觸；

其中，所述光活性層包含第一無機(jī)材料和與第一無機(jī)材料不同的第二無機(jī) 材料，其中，所述第一和第二無機(jī)材料顯示出II型帶階能量圖，其中，所述光 活性層包含第一無機(jī)材料的第一納米結(jié)構(gòu)群和第二無機(jī)材料的第二納米結(jié)構(gòu) 群。

2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一納米結(jié)構(gòu)群包含納 米棒。

3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第二納米結(jié)構(gòu)群包含納 米棒。

4.如權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其特征在于，至少一部分的所述納米 結(jié)構(gòu)包含選自下組的材料：第II-VI族、第III-V族和第I-V族半導(dǎo)體和它們的 合金。

5.如權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其特征在于。所述納米結(jié)構(gòu)群包含納 米棒，該納米棒包含選自下組的材料：CdSe、CdTe、InP、InAs、CdS、ZnS、 ZnSc、ZnTc、HgTc、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InSb、Si、Gc、AlAs、AlSb、 PbSe、PbS、PbTe和它們的組合。

6.如權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述納米棒群包含第一 無機(jī)材料核和第二無機(jī)材料殼。

7.如權(quán)利要求6所述的光電設(shè)備，其特征在于。所述核包含CdSe，所述 殼包含CdTe。

8.如權(quán)利要求6所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述核包含InP，所述殼 包含GaAs。

9.如權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述第一和第二電極中 的至少一個(gè)電極包含透明導(dǎo)電層。

10.如權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述第一和第二電極中 的至少一個(gè)電極包含反射金屬。

11.如權(quán)利要求11所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述反射金屬包含鋁、 鈣、鎳或銅。

12.如權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述高電阻率透明膜包 含氧化鋁。

13.如權(quán)利要求12所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述氧化鋁通過原子 層沉積法沉積。

14.如權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其特征在于，使所述高電阻率透明膜 形成所需的尺寸以便從光電設(shè)備得到最大的功率輸出。

15.如權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述無機(jī)光活性層是燒 結(jié)層。

16.如權(quán)利要求15所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述燒結(jié)層被燒結(jié)時(shí) 經(jīng)歷晶粒生長。

17.如權(quán)利要求15所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述燒結(jié)層被燒結(jié)時(shí) 經(jīng)歷重結(jié)晶和晶粒生長。

18.如權(quán)利要求15所述的光電設(shè)備，其特征在于，所述燒結(jié)層是通過將 無機(jī)光活性層曝露在氯化鎘中、然后在較高的溫度下在空氣中加熱曾曝露于氯 化鎘中的層而形成的。

19.如權(quán)利要求18所述的光電設(shè)備，其特征在于，加熱操作在約400℃進(jìn) 行大約15分鐘。

20.如權(quán)利要求1所述的光電設(shè)備，其特征在于，在沒有封裝層時(shí)其對(duì)空 氣是穩(wěn)定的。

21.一種形成納米晶體膜的方法，其包括：

a.提供含有納米晶體的濃溶液；

b.將所述溶液旋涂到基材上，形成生膜；

c.將CdCl₂的甲醇飽和溶液旋涂到所述生膜上；

d.在氧氣中將生膜加熱到約400℃；

e.使膜和基材保持在約10^-6托下。