[發明專利]高分子化合物及用其形成的高分子發光元件無效
| 申請號: | 200680037672.3 | 申請日: | 2006-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN101283019A | 公開(公告)日: | 2008-10-08 |
| 發明(設計)人: | 小林諭;小林重也 | 申請(專利權)人: | 住友化學株式會社 |
| 主分類號: | C08G61/12 | 分類號: | C08G61/12;C07D265/38;C07D279/22;C09K11/06;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 朱丹 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高分子化合物 形成 高分子 發光 元件 | ||
1、一種高分子化合物,其中,
含有由下述式(1)表示的化合物殘基,
式中,C1環、C2環及C3環各自獨立地表示芳香烴環或雜環,A1表示含有選自硼原子、碳原子、氮原子、氧原子、磷原子、硫原子及硒原子中的一種以上原子的2價基團,R1表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基,或與結合有R1的C3環上的原子的相鄰原子結合形成環。
2、一種高分子化合物,其中,
含有由下述式(2)表示的結構單元,
式中,C1環、C2環、C3環、A1及R1表示與上述相同的含義。
3、根據權利要求1或2所述的高分子化合物,其中,
C1環及C2環為苯環或單環型雜環。
4、根據權利要求1~3中任一項所述的高分子化合物,其中,
C3環為芳香烴環。
5、根據權利要求1~4中任一項所述的高分子化合物,其中,
C3環由下述式(3)表示,
式中,R1表示與上述相同的含義,R2及R3各自獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基,當R3結合在與R1或R2結合的碳原子相鄰的碳原子上時,該R3也可以與R1或R2結合形成環,n表示0、1、2或3,n為2以上時,多個R3可以相同或不同。
6、根據權利要求1~5中任一項所述的高分子化合物,其中,
A1為氧原子、硫原子、-S(=O)-、-S(=O)2-、硒原子、-Se(=O)-或-Se(=O)2-。
7、根據權利要求1~6中任一項所述的高分子化合物,其中,
A1為氧原子、硫原子或硒原子。
8、根據權利要求1~7中任一項所述的高分子化合物,其滿足下述式(11),
式中,A表示與C3環結合的氮原子的屏蔽率,B表示與C3環結合的氮原子的電子密度。
9、根據權利要求1~7中任一項所述的高分子化合物,其中,
還含有由下述式(4)表示的重復單元,
式中,Ar1表示亞芳基、2價雜環基或具有金屬絡合物結構的2價基團,R4及R5各自獨立地表示氫原子、烷基、芳基、1價雜環基或氰基,n表示0或1。
10、根據權利要求9所述的高分子化合物,其中,
上述式(4)中的n為0。
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