[發明專利]TFT基板及TFT基板的制造方法

無效

• 申請號: 200680037265.2
• 申請日: 2006-10-02
• 公開（公告）號: CN101283388A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 井上一吉;矢野公規;田中信夫
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;H01L21/336;G02F1/1368;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種TFT基板，其具備：

基板；

在該基板的上方形成有柵電極及柵極配線；

至少在所述柵電極及所述柵極配線的上方形成有柵極絕緣膜；

至少在所述柵電極的上方的所述柵極絕緣膜的上方形成有第一氧化物層；

在所述第一氧化物層的上方形成有第二氧化物層，

所述TFT基板的特征在于，

利用所述第二氧化物層至少形成像素電極。

2.根據權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，

利用所述第二氧化物層形成所述像素電極、源電極及漏電極、源極配線及漏極配線。

3.根據權利要求2所述的TFT基板，其特征在于，

所述第一氧化物層以所述第一氧化物層及所述第二氧化物層的蝕刻速度快于所述柵極絕緣膜的蝕刻速度的蝕刻法A蝕刻，且對于所述第二氧化物層的蝕刻速度快于所述第一氧化物層及所述柵極絕緣膜的蝕刻速度的蝕刻法B具有耐性的材質形成，

所述第二氧化物層以通過所述蝕刻法A及所述蝕刻法B蝕刻的材質形成，

所述柵極絕緣膜以所述柵極絕緣膜的蝕刻速度快于所述第一氧化物層及所述第二氧化物層的蝕刻速度的蝕刻法C蝕刻，且對于所述蝕刻法A及所述蝕刻法B具有耐性的材質形成。

4.根據權利要求2或3所述的TFT基板，其特征在于，

在所述源電極、漏電極、源極配線及漏極配線上形成輔助配線或輔助電極。

5.根據權利要求4所述的TFT基板，其特征在于，

所述第一氧化物層及所述第二氧化物層相對于上述權利要求3的蝕刻法B具有耐性，且所述輔助配線及所述輔助電極利用所述蝕刻法B蝕刻。

6.根據權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，

所述像素電極由所述第一氧化物層和所述第二氧化物層構成。

7.根據權利要求2～6中任一項所述的TFT基板，其特征在于，

所述第一氧化物層為n型氧化物半導體層，所述第二氧化物層為氧化物導電體層。

8.一種TFT基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的上方使用第一掩模形成柵電極及柵極配線的工序；

在所述基板、所述柵電極及所述柵極配線的上方依次疊層柵極絕緣膜、第一氧化物層、第二氧化物層及抗蝕劑的工序；

使用第二掩模，通過半色調曝光，將所述抗蝕劑形成為規定的形狀的工序；

選擇性地蝕刻所述第一氧化物層和所述第二氧化物層，從而形成源極配線、漏極配線及像素電極的工序；

將所述抗蝕劑再形成為規定的形狀的工序；

選擇性地蝕刻所述第二氧化物層，從而形成源電極、漏電極及溝道部的工序；

選擇性地蝕刻所述柵極絕緣膜，從而形成柵極配線襯墊的工序。

9.根據權利要求8所述的TFT基板的制造方法，其特征在于，

所述第一氧化物層及所述第二氧化物層的選擇性的蝕刻使用所述第一氧化物層及所述第二氧化物層的蝕刻速度快于所述柵極絕緣膜的蝕刻速度的蝕刻法A進行，

所述第二氧化物層的選擇性的蝕刻使用所述第二氧化物層的蝕刻速度快于所述第一氧化物層及所述柵極絕緣膜的蝕刻速度的蝕刻法B進行，

所述柵極絕緣膜的選擇性的蝕刻使用所述柵極絕緣膜的蝕刻速度快于所述第一氧化物層及第二氧化物層的蝕刻速度的蝕刻法C進行。

10.一種TFT基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的上方使用第一掩模形成柵電極及柵極配線的工序；

在所述基板、所述柵電極及所述柵極配線的上方依次疊層柵極絕緣膜、第一氧化物層、第二氧化物層及抗蝕劑的工序；

使用第二掩模，通過半色調曝光，將所述抗蝕劑形成為規定的形狀的工序；

蝕刻所述第一氧化物層、所述第二氧化物層、和所述柵極絕緣膜，從而形成源極配線、漏極配線、像素電極及柵極配線襯墊的工序；

將所述抗蝕劑再形成為規定的形狀的工序；

選擇性地蝕刻所述第二氧化物層，從而形成源電極、漏電極及溝道部的工序。

11.根據權利要求8～10中任一項所述的TFT基板的制造方法，其特征在于，包括：

在所述源極配線、所述漏極配線、所述源電極及所述漏電極的上方使用第三掩模，形成輔助配線或輔助電極的工序。