[發(fā)明專(zhuān)利]傳感器裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680032404.2
• 申請(qǐng)日: 2006-08-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101258400A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 關(guān)口亮太;飯?zhí)镅笠焕?/a>;尾內(nèi)敏彥
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G01N21/55
• 分類(lèi)號(hào): G01N21/55;G01N21/35
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 康建忠

1.一種傳感器裝置，包括：

分析物保持部，用于放置分析物；

輻射裝置，用于向所述分析物保持部輻射包括從30GHz到30THz頻率區(qū)域的一部分的電磁波；以及

檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)從所述分析物保持部反射的電磁波，

所述分析物保持部包括半導(dǎo)體和介質(zhì)，

所述半導(dǎo)體的介電常數(shù)的實(shí)部為負(fù)，

所述介質(zhì)的折射率的平方小于所述介電常數(shù)的實(shí)部，

當(dāng)檢測(cè)分析物時(shí)，分析物經(jīng)由所述半導(dǎo)體與所述介質(zhì)相對(duì)。

2.一種傳感器裝置，包括：

分析物保持部，用于放置分析物；

輻射裝置，用于向所述分析物保持部輻射包括從30GHz到30THz頻率區(qū)域的一部分的電磁波；以及

檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)從所述分析物保持部反射的電磁波，

所述分析物保持部包括半導(dǎo)體和介質(zhì)，

所述半導(dǎo)體的介電常數(shù)的實(shí)部為負(fù)，

所述介質(zhì)的折射率的平方小于所述介電常數(shù)的實(shí)部，

當(dāng)檢測(cè)分析物時(shí)，分析物被放置在所述半導(dǎo)體和所述介質(zhì)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1和2中任何一個(gè)所述的傳感器裝置，其特征在于，所述分析物保持部包括電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳感器裝置，其特征在于，所述電極是對(duì)所述半導(dǎo)體施加電場(chǎng)的裝置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任何一個(gè)所述的傳感器裝置，其特征在于，所述傳感器裝置包括用于對(duì)所述半導(dǎo)體輻射光的光輻射裝置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任何一個(gè)所述的傳感器裝置，其特征在于，所述傳感器裝置包括用于改變?nèi)肷涞剿龇治鑫锉３植康碾姶挪ǖ娜肷浣堑娜肷浣歉淖冄b置，所述電磁波包括從30GHz到30THz頻率區(qū)域的一部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任何一個(gè)所述的傳感器裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體從包括InAs、GaAs、InSb和InN的組中選擇。

8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任何一個(gè)所述的傳感器裝置，其特征在于，所述分析物保持部涂覆有厚度為5nm或更薄的金膜，從而提高分析物的吸收性。

9.一種傳感器裝置，包括：

分析物保持部，用于放置分析物；

輻射裝置，用于向所述分析物保持部輻射包括從30GHz到30THz頻率區(qū)域的一部分的電磁波；以及

檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)從所述分析物保持部反射的電磁波，所述分析物保持部包括第一層和第二層，

所述第一層和第二層滿(mǎn)足下面的公式：

Re(ε₁)＜-n₂²

其中，Re(ε₁)是所述第一層的介電常數(shù)的實(shí)部，n₂是所述第二層的折射率。