[發明專利]咔唑衍生物，和使用該咔唑衍生物獲得的發光元件材料、發光元件和電子設備有效
| 申請號： | 200680025758.4 | 申請日： | 2006-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN101223138A | 公開（公告）日： | 2008-07-16 |
| 發明（設計）人： | 川上祥子;大澤信晴;中島晴惠;小島久味;江川昌和;野村亮二 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | C07D209/86 | 分類號： | C07D209/86;C09K11/06;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 陳季壯 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 衍生物 使用 獲得 發光 元件 材料 電子設備 | ||
【權利要求書】：
1.由以下通式表示的咔唑衍生物：
其中R1表示選自含1-4個碳原子的烷基，和含1-12個碳原子的芳基中的任一個。
2.以下通式表示的發光元件材料：
其中R2表示氫或由以下通式表示的基團：
其中R4和R5表示氫、甲基或叔丁基中任一個，并且它們中至少一個表示氫，和
其中R3表示選自氫、含1-4個碳原子的烷基，和含1-12個碳原子的芳基中的任一個。
3.由以下結構式表示的發光元件材料：
4.由以下結構式表示的發光元件材料：
5.發光元件，包括：
在電極之間的包括發光物質和主體的發光層，
其中該發光物質由以下通式表示：
其中R2表示氫或由以下通式表示的基團：
其中R4和R5表示氫、甲基或叔丁基中任一個，并且它們中至少一個表示氫，
其中R3表示選自氫、含1-4個碳原子的烷基，和含1-12個碳原子的芳基中的任一個，和
其中該主體是與該發光物質相比具有更高電離電勢和更大能隙的物質。
6.根據權利要求5的發光元件，其中該主體是電子傳輸性能比空穴傳輸性能更高的物質。
7.根據權利要求5的發光元件，其中該主體是2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽、9-[4-(N-咔唑基)苯基-10-苯基蒽和二苯基蒽中的一種。
8.包括根據權利要求5的發光元件的發光裝置。
9.在顯示部分或照明部分中包括根據權利要求8的發光裝置的電子設備。
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