[發明專利]光電裝置中的導電聚合物組合物

有效

• 申請號: 200680025584.1
• 申請日: 2006-07-14
• 公開（公告）號: CN101223236A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: A·施托伊德爾;M·麥基爾南;J·伯勒斯
• 申請（專利權）人: CDT牛津有限公司;劍橋顯示技術有限公司
• 主分類號: C08L65/00
• 分類號: C08L65/00;H01B1/12;H01L51/30
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 任宗華

1.一種用于有機光發射裝置的導電組合物，包括：

具有共軛主鏈的聚陽離子；

平衡聚陽離子上電荷的聚陰離子；和

包含側接于聚合物主鏈的側基的半導體空穴傳輸聚合物，每個側基包括一個或多個XY基團，其中XY表示具有高電離常數的基團從而其可以完全電離。

2.根據權利要求1所述的組合物，其中聚陽離子包括氧化導電聚(噻吩)。

3.根據權利要求2所述的組合物，其中聚陽離子包括氧化導電聚亞乙基二氧噻吩(PEDOT)。

4.根據前述任一項權利要求所述的組合物，其中組合物基本不含任何非電離聚苯乙烯磺酸。

5.根據前述任一項權利要求所述的組合物，其中聚陰離子包括電離態的空穴傳輸聚合物。

6.根據權利要求1-4任一項所述的組合物，其中聚陰離子包括聚合物酸。

7.根據權利要求6所述的組合物，其中聚陰離子包括電離態聚苯乙烯磺酸(PSS)。

8.根據前述任一項權利要求所述的組合物，其中空穴傳輸聚合物包括芳基或雜芳基重復基團(Ar)。

9.根據權利要求8所述的組合物，其中Ar表示芴、螺芴、茚并芴、亞苯基、亞苯基亞乙烯基、噻吩、苯并噻二唑或三芳胺基團。

10.根據權利要求8或9所述的組合物，其中Ar存在于側接于聚合物主鏈的側基中。

11.根據權利要求10所述的組合物，其中空穴傳輸聚合物包含包括化學式1的重復側基：

其中Ar表示芳基或雜芳基基團，XY表示具有高電離常數的基團從而其完全被電離。

12.根據權利要求10或11所述的組合物，其中側基連接于聚合物主鏈上的非共軛區域。

13.根據權利要求12所述的組合物，其中空穴傳輸聚合物包括化學式7重復單元：

其中側基Ar-XY如前述任一權利要求中所定義。

14.根據權利要求8或9所述的組合物，其中Ar存在于聚合物主鏈中。

15.根據權利要求14所述的組合物，其中空穴傳輸聚合物包含包括通式12的重復單元：

其中R¹表示任選的有機連接基，Ar和XY如前述任一權利要求中所定義。

16.根據權利要求15所述的組合物，其中R¹包括截斷XY和Ar間共軛作用的基團。

17.根據權利要求15或16所述的組合物，其中R¹選自芳基；雜芳基；烷基；烷氧基；和全氟烷基。

18.根據權利要求15-17任一項所述的組合物，其中聚合物包含一種或多種另外的芳基或雜芳基重復單元。

19.根據權利要求18所述的組合物，其中另外的重復單元為三芳胺重復單元或芴重復單元。

20.根據前述任一項權利要求所述的組合物，其中空穴傳輸聚合物包括線型聚合物。

21.一種有機光發射裝置，包括：

陽極；

陰極；

位于陽極和陰極間的光發射層；和

位于陽極和光發射層間的空穴注入層，

其特征在于空穴注入層包括如前述任一項權利要求所定義的組合物。

22.一種制造如權利要求21所述的有機光發射裝置的方法，所述方法包括利用旋涂或噴印或輥印將權利要求1-20任一項所述的組合物沉積為一層的步驟。

23.一種制造如權利要求21所述的有機光發射裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

(a)通過在第一溶劑中沉積包括如權利要求1-20任一項所述組合物的溶液形成空穴注入層；以及

(b)通過在第二溶劑中沉積包括光發射材料的溶液在空穴注入層上形成光發射層。