[發明專利]場致發光器件有效
| 申請號: | 200680025232.6 | 申請日: | 2006-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN101218693A | 公開(公告)日: | 2008-07-09 |
| 發明(設計)人: | 馬修·羅伯特斯;納林庫瑪·帕特爾;馬丁·理查德森;拉塞爾·里斯 | 申請(專利權)人: | 劍橋顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 屠長存 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 英國;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 | ||
技術領域
本發明涉及一種包括防反射涂層的有機場致發光器件。
背景技術
有機場致發光器件例如由PCT/WO/13148和US4539507公開。這種器件一般包括:襯底2;設置在襯底2之上用于注入第一極性電荷的第一電極4;設置在第一電極4之上用于注入與第一極性相反的第二極性電荷的第二電極6;設置在第一電極和第二電極之間的有機發光層8;以及設置在第二電極6之上的密封件10。在圖1所示的構造中,襯底2和第一電極4是透明的,以允許由有機發光層8發射的光穿過它們。這種構造被稱為底發射器件。在圖2所示的另一構造中,第二電極6和密封件10是透明的,從而允許從有機發光層8發射的光穿過它們。這種構造被稱為頂發射器件。在底發射器件中密封件可以是不透明的。這種密封件的例子是金屬罐。對于頂發射器件,密封件必須是透明的。透明密封件的例子包括布置(deposit)在頂電極的上表面上的薄膜密封件,和在有機發光器件上設置玻璃片材的玻璃罐密封。
上述結構的變形是公知的。第一電極可以是陽極,第二電極可以是陰極。可替換地,第一電極可以是陰極,而第二電極可以是陽極。可以設置在電極和有機發光層之間其它層,以避免電荷的注入和傳輸。發光層中的有機材料可以包括小分子、樹形化合物(dendrimer)或聚合物,而且可以包括磷光功能團(moiety)和/或熒光功能團。發光層可以包括材料的混合,所述材料包括發光功能團、電子傳輸功能團和/或空穴傳輸功能團。這些可以設置在單個分子中或設置在不同的分子上。
通過提供上述類型的器件陣列,可以形成包括多個發射像素的顯示器。這些像素可以是相同的類型以形成單色顯示器,也可以是不同的顏色以形成多色顯示器。
很多場致發光器件的問題是由有機發光層中的有機發光材料發射的很多光不從該器件中逸出。這些光可能通過散射、內部反射、波導、吸收等等而在器件內喪失。這導致器件效率的降低。此外,這些光學效應可能導致低的圖像強度,低的圖像對比度,重影等等,從而導致差的圖像質量。
增加從器件中逸出的光量的方式之一是在該器件結構中提供防反射涂層。WO2004/044999公開了底發射器件,包括設置在襯底和下電極之間的由包含間隙孔的有機聚合物材料制成的防反射涂層。在WO2004/044999中公開的防反射涂層用于通過將從發光層發射的光解耦合(uncouple)到透明襯底中來增加從底發射器件選出的光量。但是,本申請人發現,在發光層附近并入材料的附加層或多個附加層的問題是,發光層的發射特性由于進場光學效應如淬熄和空腔效應而改變。
2004/0051950公開了將防反射膜涂敷到采用有機場致發光器件的監視器的表面以防止環境光的反射的應用。這種防反射膜通常包括圓偏振器,用于吸收被反射離開該器件結構的環境光。圓偏振器還吸收由該器件的發光層發射的一部分光。此外,由于圓偏振器包括線偏振器和1/4波板,因此提供了額外的界面從而導致由發光層發射的光的內部反射增加。這樣,圓偏振器不是本說明書所使用的術語“防反射涂層”,因為它們不在涂上該圓偏振器的表面上減少反射。更確切地說,圓偏振膜通過吸收反射光來防止環境光從該器件的其它表面反射。這種層沒有改善光從該器件的輸出耦合(out-coupling)。
US2004/0041518公開了一種底發射有機場致發光元件,其中除了在形成發射層的區域之外,在器件的玻璃襯底上形成用于防止環境光被頂電極層反射的防反射層。由于該層防止光被第二電極層反射,因此只有來自發射層的光才穿過器件的玻璃襯底向外輻射,從而改善了有機顯示器件的對比度。防反射涂層包括用于防止光透射的黑矩陣。該層沒有改善光從該器件的輸出耦合。
因此US2004/0041518和2004/0051950公開的防反射膜都是用于防止環境光的反射從而提高顯示器的對比度。它們沒有改善從發光層發射的光的輸出耦合。相反,WO2004/044999公開的防反射涂層用于通過將發光層發射的光解耦合到透明襯底中來增加從底發射器件逸出的光量。
發明內容
本發明的目的是提供一種有機場致發光器件,該器件具有增大的光輸出,同時避免由于近場光學效應而造成的問題。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





