[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶片的切割刀片及方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680024194.2
• 申請(qǐng)日: 2006-06-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101213645A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·P·小哈里斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/44
• 分類號(hào): H01L21/44;H01L21/46;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/78;H01L21/301
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 趙蓉民

1.一種半導(dǎo)體器件單顆化方法，所述方法包括以下步驟：

在所制備晶片的平面中鋸出一個(gè)或多個(gè)第一鋸痕，所述一個(gè)或多個(gè)第一鋸痕以一定圖案進(jìn)行設(shè)置，所述圖案近似地與設(shè)置在所述晶片上的多個(gè)相鄰半導(dǎo)體器件中的每個(gè)器件的外圍相一致；

在所述晶片的相反平面中鋸出一個(gè)或多個(gè)第二鋸痕，所述一個(gè)或多個(gè)第二鋸痕也近似地與所述多個(gè)半導(dǎo)體器件中的每個(gè)器件的外圍相一致，其中所述第一和第二鋸痕在中間晶片材料兩側(cè)近似彼此相對(duì)；

在所述中間晶片材料處向所述晶片施加機(jī)械壓力，用以引起所述中間晶片材料沿近似相對(duì)的第一和第二鋸痕的受控破裂，從而將每個(gè)所述器件與其相鄰器件切斷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件單顆化方法，其中所述晶片的至少一個(gè)表面包含玻璃層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件單顆化方法，其中在所述晶片的平面中鋸出鋸痕的步驟還包含在所述玻璃層中鋸出兩個(gè)平行的鋸痕。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件單顆化方法，其中所述第一鋸痕被鋸到一定深度，該深度在大于晶片厚度的約1/3而小于晶片厚度的約3/4的深度范圍內(nèi)；以及

其中所述第二鋸痕被鋸到一定深度，該深度在大于所述晶片厚度的約1/6而小于所述晶片厚度的約1/4的深度范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件單顆化方法，其中所述晶片包含厚度約為3mm的多層結(jié)構(gòu)；以及

其中所述第一鋸痕的深度在大于約1mm而小于約2.5mm的范圍內(nèi)；以及

其中所述第二鋸痕的深度在大于約0.5mm而小于約0.75mm的范圍內(nèi)。

6.一種用于半導(dǎo)體晶片器件單顆化的鋸刃，其包括：

金剛石圓盤(pán)，其適于繞其軸高速旋轉(zhuǎn)；

環(huán)形凹槽，其位于所述圓盤(pán)的相對(duì)平面的每個(gè)平面上，所述凹槽被設(shè)置為沿所述圓盤(pán)的圓周對(duì)稱分布。

7.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于半導(dǎo)體晶片器件單顆化的鋸刃，其進(jìn)一步包含拋物線形或楔形圓角刃口。