[發明專利]具有氮二齒配體的電致發光器件

無效

• 申請號: 200680023786.2
• 申請日: 2006-06-16
• 公開（公告）號: CN101213877A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: T·L·小羅伊斯特
• 申請（專利權）人: 伊斯曼柯達公司
• 主分類號: H05B33/14
• 分類號: H05B33/14;C09K11/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 段曉玲;韋欣華

1.OLED器件，其包括陰極、陽極、發光層、以及在陰極和發光層之間的非發光層，所述非發光層包含具有通式(1)的“n”個二齒配體的金屬配合物：

其中：

M表示Ga、Al、Be或Mg；

對于Ga或Al來說，n是3，對于Be或Mg來說，n是2；和

各Z^a和各Z^b被獨立地選擇，并且每一個表示完成不飽合環所需的原子；

Z^a和Z^b彼此直接鍵合，前提是Z^a和Z^b可進一步被連接在一起而形成稠環系統；

前提是發光層基本上沒有所述的存在于非發光層中的金屬配合物。

2.權利要求1的器件，其中M表示Ga或Al。

3.權利要求1的器件，其中M表示Ga。

4.權利要求1的器件，其中各Z^a和各Z^b表示形成獨立選擇的芳族環基團所需的原子。

5.權利要求1的器件，其中至少一個Z^a表示完成6元芳環所需的原子。

6.權利要求1的器件，其中至少一個Z^a包括吡啶環基團。

7.權利要求1的器件，其中至少一個Z^b表示完成5元芳環所需的原子。

8.權利要求1的器件，其中至少一個Z^b表示完成包括至少兩個雜原子的環所需的原子。

9.權利要求1的器件，其中至少一個Z^b包括咪唑環基團。

10.權利要求1的器件，其中各個配體是相同的。

11.權利要求1的器件，其中所述金屬配合物由通式(2)表示：

其中：

M^a表示Ga或Al；

各Z¹-Z⁷獨立地表示N或C-Y；和

各Y表示氫或獨立選擇的取代基，前提是兩個Y取代基可以連接而形成環。

12.權利要求11的器件，其中M^a表示Ga。

13.權利要求11的器件，其中Z¹-Z³中的至少一個表示N。

14.權利要求11的器件，其中Z¹-Z³表示C-Y。

15.權利要求11的器件，其中Z⁴-Z⁷中的至少一個表示N。

16.權利要求11的器件，其中Z⁴-Z⁷表示C-Y。

17.權利要求1的器件，其中所述非發光層與陰極相鄰。

18.權利要求1的器件，其中所述非發光層與更靠近于陰極的電子注入層相鄰。

19.權利要求1的器件，其中所述非發光層與包含發磷光材料的發光層相鄰。

20.權利要求1的器件，其包括兩個發光層。

21.權利要求1的器件，其中除直接的連接和通式(1)中所示通過M的連接以外，Z^a和Z^b沒有連接在一起。

22.制備鎵配合物的方法，包括使三(環戊二烯)鎵化合物與至少一個含吡咯環的化合物反應。