[發明專利]有機半導體材料薄膜的形成方法和有機薄膜晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 200680021905.0
• 申請日: 2006-05-23
• 公開（公告）號: CN101203949A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 小渕禮子;竹村千代子;平井桂
• 申請（專利權）人: 柯尼卡美能達控股株式會社
• 主分類號: H01L21/368
• 分類號: H01L21/368;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張平元

1.一種有機半導體材料薄膜的形成方法，該方法包括：在基板表面上涂布含有有機半導體材料的液體來形成半導體材料薄膜，其中，

上述基板表面的表面自由能用γ_S＝γ_S^d+γ_S^p+γ_S^h表示時(式中，γ_S^d、γ_S^p、γ_S^h分別表示基于Young-Fowkes式的固體表面的表面自由能的非極性分量、極性分量、氫鍵分量)，并且上述液體中的溶劑的表面自由能用γ_L＝γ_L^d+γ_L^p+γ_L^h表示時(式中，γ_L^d、γ_L^p、γ_L^h分別表示基于Young-Fowkes式的液體的表面自由能的非極性分量、極性分量、以及氫鍵分量)，γ_S^h-γ_L^h的值為-5mN/m～20mN/m的范圍，且上述基板表面的表面自由能的氫鍵分量γ_S^h滿足0＜γ_S^h＜20(mN/m)。

2.權利要求1記載的有機半導體材料薄膜的形成方法，其中，上述基板表面實施表面處理。

3.權利要求1或2記載的有機半導體材料薄膜的形成方法，其中，上述基板表面的表面自由能的氫鍵分量γ_S^h滿足0＜γ_S^h＜15(mN/m)。

4.權利要求1～3中任何一項記載的有機半導體材料薄膜的形成方法，其中，上述表面處理是采用硅烷偶聯劑進行的處理。

5.權利要求1～4中任何一項記載的有機半導體材料薄膜的形成方法，其中，含有有機半導體材料的上述液體中的溶劑是非鹵素類溶劑。

6.權利要求1～5中任何一項記載的有機半導體材料薄膜的形成方法，其中，上述有機半導體材料的重均分子量為5000以下。

7.一種有機薄膜晶體管的制造方法，該方法使用權利要求1～6中任何一項記載的有機半導體薄膜的形成方法，所述有機半導體材料是具有噻吩環的化合物。

8.權利要求7中所述的有機薄膜晶體管的制造方法，其中，上述有機半導體材料是具有烷基噻吩環的化合物。