[發(fā)明專利]用于以半導(dǎo)體材料薄層覆蓋的碳帶以及淀積這樣的薄層的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680021732.2
• 申請日: 2006-06-07
• 公開（公告）號: CN101199061A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·貝洛特
• 申請（專利權(quán)）人: 索拉爾福斯公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C2/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 楊曉光;李崢

1.一種在碳帶(54)的兩個(gè)面(58、60)中的至少一個(gè)面上淀積半導(dǎo)體材料層(72、74)的方法，所述帶具有兩個(gè)邊緣(34、36)，在所述方法中逐漸朝上(18)基本上垂直地拉拔所述帶縱向通過熔化的半導(dǎo)體材料的熔體(12)的水平平衡表面，當(dāng)拉拔所述碳帶時(shí)，通過潤濕所述面淀積所述熔化的半導(dǎo)體材料的熔體(12)，所述方法的特征在于其在于改變所述帶的所述邊緣的形狀(62-64-66、90-92-94)以便增加在所述帶的所述邊緣上淀積的所述半導(dǎo)體材料層的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于將突出的形狀(68、70、98、100)給予所述帶的所述邊緣中的每一個(gè)邊緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征在于所述邊框具有張開的形狀、基本上矩形的形狀(68、70)、或者基本上三角形的形狀(98、100)。

4.根據(jù)任何的上述權(quán)利要求的方法，其特征在于，當(dāng)在所述帶的兩個(gè)面(58、60)上同時(shí)淀積半導(dǎo)體材料層(72、74)時(shí)，將雙邊框的形狀(68-70、98-100)給予所述帶的所述邊緣中的每一個(gè)邊緣。

5.根據(jù)任何的上述權(quán)利要求的方法，其特征在于通過連續(xù)朝向彼此地鐓鍛所述帶的所述兩個(gè)邊緣成形所述帶的所述兩個(gè)邊緣來修改所述形狀。

6.根據(jù)任何的上述權(quán)利要求的方法，其特征在于通過展平所述邊緣修改所述形狀。

7.根據(jù)任何的上述權(quán)利要求的方法，其特征在于所述半導(dǎo)體材料選自硅、鍺、以及呈現(xiàn)同成分或半同成分熔化的GaAs族的III-V類型半導(dǎo)體化合物。

8.根據(jù)任何的上述權(quán)利要求的方法，其特征在于所述半導(dǎo)體材料是硅，以及以在其上淀積所述硅層的熱解石墨層(24)覆蓋所述碳帶。

9.一種具有兩個(gè)邊緣的碳帶(54)，所述碳帶的兩個(gè)面(58、60)中的至少一個(gè)面被設(shè)計(jì)為通過使所述帶基本上垂直向上地通過熔化的半導(dǎo)體材料的熔體(12)從而使所述碳帶的兩個(gè)面(58、60)中的至少一個(gè)面被半導(dǎo)體材料層(72、74)所覆蓋，所述碳帶的特征在于突出在所述碳帶的兩個(gè)面中的至少一個(gè)面上的所述碳帶的兩個(gè)邊緣中的每一個(gè)邊緣以形成邊框(68、70、98、100)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的帶，其特征在于所述邊緣中的每一個(gè)邊緣張開以便形成半圓的形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求9的帶(54a)，其特征在于所述邊緣中的每一個(gè)邊緣形成這樣的肩(62、64)，所述肩基本上垂直于接收所述半導(dǎo)體材料層(72a、74a)的所述帶的所述面(58a、60a)，因而所述邊框(68、70)基本上是矩形的。

12.根據(jù)權(quán)利要求9的帶(54b、c、d)，其特征在于所述邊緣中的每一個(gè)邊緣形成這樣的肩(90b、c、d、92b、c、d)，所述肩相對于接收所述半導(dǎo)體材料層(72b、c、d、74b、c、d)的所述帶的所述面(58b、c、d、60b、c、d)傾斜，因而所述邊框(98b、c、d、100b、c、d)基本上是三角形的。

13.根據(jù)任何的上述權(quán)利要求的帶，其特征在于所述帶的邊緣中的每一個(gè)邊緣具有這樣的外側(cè)部分(66、94)，所述外側(cè)部分基本上垂直于接收所述半導(dǎo)體材料層的所述帶的所述面。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的帶(54c)，其特征在于所述外側(cè)部分包括朝所述帶凹進(jìn)的部分(96c)。

15.根據(jù)權(quán)利要求9的帶(54d)，其特征在于所述外側(cè)部分是半滴油脂的形狀(94d)。

16.根據(jù)權(quán)利要求9至15中的任何一項(xiàng)的帶，其特征在于在所述帶的兩個(gè)面上淀積所述半導(dǎo)體材料，以及所述碳帶的所述兩個(gè)邊緣中的每一個(gè)邊緣形成雙邊框(68-70、98?b、c、d-100?b、c、d)。

17.根據(jù)權(quán)利要求10和16的帶，其特征在于所述兩個(gè)邊緣中的每一個(gè)邊緣形成圓形的形狀。

18.根據(jù)權(quán)利要求15和16的帶(54d)，其特征在于所述外側(cè)部分是油脂滴的形狀(94d)。

19.根據(jù)任何的上述權(quán)利要求的帶，其特征在于所述半導(dǎo)體材料選自硅、鍺以及具有同成分或準(zhǔn)同成分熔化的GaAs族的III-V類型半導(dǎo)體化合物。