[發明專利]可印刷半導體結構以及相關制造和組裝方法

有效

• 申請號: 200680019640.0
• 申請日: 2006-06-01
• 公開（公告）號: CN101632156A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發明（設計）人: R·G·納佐;J·A·羅杰斯;E·梅納德;李建宰;姜達榮;孫玉剛;M·梅爾特;朱正濤;高興助;S·麥克
• 申請（專利權）人: 伊利諾伊大學評議會
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/8242;H01L23/62;H05K3/36;H01R12/00
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 謝 靜;楊 勇

1.一種用于制造可印刷半導體元件的方法，所述方法包括以下步 驟：

提供具有(111)取向以及具有外表面的硅晶片；

在所述硅晶片的所述外表面上產生多個凹槽特征，其中每個所述 凹槽特征包括被曝光硅晶片的底面以及側面；

遮蓋所述凹槽特征的所述側面的至少一部分；

在所述凹槽特征之間進行刻蝕，其中刻蝕沿所述硅晶片的<110>方 向進行，由此制造所述可印刷半導體元件。

2.根據權利要求1的方法，其中所述凹槽特征的所述側面被完全 遮蓋。

3.根據權利要求1的方法，其中所述凹槽特征的所述側面被部分 遮蓋。

4.根據權利要求1的方法，其中刻蝕沿著比沿所述硅晶片<111> 方向速度更快的所述硅晶片<110>方向進行。

5.根據權利要求1的方法，其中刻蝕沿所述硅晶片的<111>方向 基本不進行。

6.根據權利要求1的方法，其中所述在凹槽特征之間進行刻蝕的 步驟包括所述硅晶片的各向異性刻蝕。

7.根據權利要求1的方法，其中所述在凹槽特征之間進行刻蝕的 步驟沿所述硅晶片的<110>方向在相鄰凹槽特征之間進行，因而至少部 分地底刻位于所述相鄰凹槽特征之間的所述可印刷半導體元件。

8.根據權利要求7的方法，其中所述在凹槽特征之間進行刻蝕的 步驟不完全從所述硅晶片釋放所述可印刷半導體元件，其中所述可印 刷半導體元件的至少一個末端集成連接到所述硅晶片。

9.根據權利要求1的方法，其中所述在凹槽特征之間進行刻蝕的 步驟包括使用各向異性蝕刻劑的濕式化學刻蝕。

10.根據權利要求9的方法，其中所述各向異性蝕刻劑是堿性溶 液。

11.根據權利要求1的方法，其中所述凹槽特征包括彼此分開的 第一和第二通道，其中所述在凹槽特征之間進行刻蝕的步驟沿所述硅 晶片的<110>方向從所述第一通道進行到所述第二通道，因而底刻在所 述第一和第二通道之間的所述可印刷半導體元件的至少一部分。

12.根據權利要求11的方法，其中所述第一通道和所述第二通道 縱向上的取向處于基本平行的構造中，其中所述在凹槽特征之間進行 刻蝕的步驟產生位于所述第一和第二通道之間的至少被部分底刻的可 印刷半導體帶。

13.根據權利要求11的方法，其中所述第一通道和所述第二通道 縱向上的取向處于基本平行的構造中，其中所述在凹槽特征之間進行 刻蝕的步驟產生一個位于所述第一和第二通道之間的被完全底刻的可 印刷半導體帶。

14.根據權利要求12的方法，其中所述可印刷半導體帶的至少一 個末端集成連接到所述硅晶片。

15.根據權利要求14的方法，其中所述第一通道終止于第一末端， 所述第二通道終止于第二末端，并且其中所述可印刷半導體帶集成連 接到在所述第一通道的所述第一末端和所述第二通道的所述第二末端 之間的所述硅晶片。

16.根據權利要求15的方法，其中所述第一通道終止于第三末端， 所述第二通道終止于第四末端，并且其中所述可印刷半導體帶集成連 接到所述第一通道的所述第三末端和所述第二通道的所述第四末端之 間的所述硅晶片。

17.根據權利要求1的方法，其中所述凹槽特征包括縱向上的取 向處于基本平行的構造中的通道陣列，所述方法包括產生多個可印刷 半導體元件的方法。

18.根據權利要求1的方法，還包括以下步驟：在所述的在所述 外表面上產生所述多個凹槽特征的步驟之后，在所述硅晶片的所述外 表面上生長熱氧化層。

19.根據權利要求1的方法，還包括將所述可印刷半導體元件從 所述硅晶片釋放的步驟。