[發(fā)明專(zhuān)利]CMOS成像器的隔離工藝和結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680018139.2
• 申請(qǐng)日: 2006-05-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101180732A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 弗雷德里克·T·布雷迪;因納·帕特里克
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王允方

1.一種像素結(jié)構(gòu)，其包括：

襯底；

第一導(dǎo)電類(lèi)型的隔離區(qū)，其位于所述襯底的表面下方，所述植入?yún)^(qū)包括具有不同寬度的至少兩個(gè)植入隔離區(qū)；以及

至少一個(gè)光電傳感器，其具有形成在所述植入隔離區(qū)鄰近處的第二導(dǎo)電類(lèi)型的電荷收集區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述光電傳感器是光電二極管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述光電傳感器是光電導(dǎo)體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述光電傳感器是光電門(mén)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述像素包括兩個(gè)光電傳感器，每個(gè)光電傳感器設(shè)置在所述植入?yún)^(qū)的相對(duì)側(cè)上并鄰近所述植入?yún)^(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述襯底進(jìn)一步包括襯底層上方的摻雜外延層，且其中所述植入?yún)^(qū)提供在所述摻雜外延層內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述植入?yún)^(qū)包括位于所述摻雜外延層的上表面下方的第一植入隔離區(qū)，所述第一植入隔離區(qū)具有第一寬度，以及位于所述第一植入隔離區(qū)下方并與其接觸的第二植入隔離區(qū)，所述第二植入隔離區(qū)具有大于所述第一寬度的第二寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一寬度小于約0.4微米。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一寬度小于約0.2微米。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第二寬度為約0.6到約1.2微米。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第二寬度為約0.8微米。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一植入隔離區(qū)具有約0.5到約2.0微米的厚度。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一植入隔離區(qū)具有約1微米的厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第二植入隔離區(qū)具有約1.5到約12.0微米的厚度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第二植入隔離區(qū)具有約5微米的厚度。

16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第二植入隔離區(qū)具有梯形橫截面。

17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中以每平方厘米約5×10¹¹到約5×10¹³個(gè)原子的摻雜劑濃度向所述第一植入隔離區(qū)摻雜p型摻雜劑。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的像素結(jié)構(gòu)，其中以每平方厘米約1×10¹²到約5×10¹²個(gè)原子的摻雜劑濃度向所述第一植入隔離區(qū)摻雜p型摻雜劑。

19.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中以每平方厘米約5×10¹¹到約5×10¹³個(gè)原子的摻雜劑濃度向所述第二植入隔離區(qū)摻雜p型摻雜劑。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其中以每平方厘米約1×10¹²到約5×10¹²個(gè)原子的摻雜劑濃度向所述第二植入隔離區(qū)摻雜p型摻雜劑。

21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述植入隔離區(qū)位于形成在P+襯底上方的p型外延層內(nèi)。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述p型外延層形成為約2到約12微米的厚度。

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述p型外延層形成為約2到約7微米的厚度。

24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一導(dǎo)電類(lèi)型是p型且所述第二導(dǎo)電類(lèi)型是n型。

25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一導(dǎo)電類(lèi)型是n型且所述第二導(dǎo)電類(lèi)型是p型。

26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述光電傳感器是p-n-p光電二極管。