[發明專利]用于光刻膠的曝光后烘焙的方法和設備

無效

• 申請號: 200680018005.0
• 申請日: 2006-04-29
• 公開（公告）號: CN101203809A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: K·埃里安;M·塞巴德
• 申請（專利權）人: 奇夢達股份公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/38
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.對化學增強光刻膠層進行圖樣化的方法，包括以下步驟：

在襯底上提供所述光刻膠層，所述光刻膠層包括具有第一溶解度的第一狀態的光刻膠分子；

將所述光刻膠層的預定區域暴露到第一輻射中，以在所述光刻膠層的所暴露的預定區域中生成催化物；

將所述光刻膠層暴露到第二輻射中，并將所述光刻膠層的所述預定區域中的光刻膠分子從所述第一狀態轉換到具有第二溶解度的第二狀態，光刻膠分子的轉換通過所述催化物來催化，以及所述光刻膠分子的催化轉換的活化能通過所述光刻膠分子中對所述第二輻射的吸收來降低；以及

用預定的顯影劑來顯影所述光刻膠層。

2.對化學增強光刻膠層進行圖樣化的方法，包括以下步驟：在襯底上提供所述光刻膠層，所述光刻膠層包括具有第一溶解度的第一狀態的光刻膠分子；

將所述光刻膠層的預定區域暴露到第一輻射中，以在所述光刻膠層的所暴露的預定區域中生成催化物；

通過熱源將具有所述光刻膠層的所述襯底加熱到高溫，并將所述光刻膠層暴露到第二輻射中，同時，維持所述光刻膠層的高溫以將所述光刻膠層的預定區域中的光刻膠分子從所述第一狀態轉換到具有第二溶解度的第二狀態，通過所述催化物

催化并通過所述光刻膠分子中對所述第二輻射的吸收來協助

光刻膠分子的轉換；以及

用預定的顯影劑來顯影所述光刻膠層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二輻射是光子輻射，通過所述光刻膠分子中的所述第二輻射的光子的吸收來降低所述光刻膠分子的催化轉換的活化能。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二輻射是光子輻射，所述第二輻射的光子的吸收通過改變所述光刻膠分子的電子態來降低所述活化能。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二輻射是光子輻射，所述第二輻射的光子的吸收通過改變所述光刻膠分子的電子態來降低所述活化能。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二輻射是光子輻射，所述第二輻射的光子的吸收通過改變所述光刻膠分子的振動態來降低所述活化能。

7.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二輻射是光子輻射，所述第二輻射的光子的吸收通過改變所述光刻膠分子的振動態來降低所述活化能。

8.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二輻射由輻射源輻射出來，所述輻射源和所述熱源位于所述襯底的相對側處。

9.根據權利要求2所述的方法，其中，通過所述第二輻射傳送給所述光刻膠層的總能量小于從所述熱源傳送給所述襯底的總能量。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，為了生成所述催化物，存在光子能量閾值，且其中，所述第二輻射的所述光子能量小于所述光子能量閾值。

11.根據權利要求3所述的方法，其中，為了生成所述催化物，存在光子能量閾值，且其中，所述第二輻射的所述光子能量小于所述光子能量閾值。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述光刻膠層被暴露給所述第二輻射的多次閃光。

13.根據權利要求3所述的方法，其中，所述光刻膠層被暴露給所述第二輻射的多次閃光。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，

在轉換步驟中，保護基從光刻膠分子中分離出，以及

具有所述保護基的光刻膠分子提供所述第一溶解度，不具有所述保護基的光刻膠分子提供不同于所述第一溶解度的所述第二溶解度。

15.根據權利要求2所述的方法，其中，

在轉換步驟中，保護基從光刻膠分子中分離出，以及

具有所述保護基的光刻膠分子提供所述第一溶解度，不具有所述保護基的光刻膠分子提供不同于所述第一溶解度的所述第二溶解度。

16.根據權利要求14所述的方法，其中，在所述顯影步驟中，不具有保護基的光刻膠分子被溶解。

17.根據權利要求15所述的方法，其中，在所述顯影步驟中，不具有保護基的光刻膠分子被溶解。