[發明專利]聚酰亞胺薄膜層合體有效
| 申請號: | 200680016441.4 | 申請日: | 2006-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN101175633A | 公開(公告)日: | 2008-05-07 |
| 發明(設計)人: | 村上真人;山口裕章 | 申請(專利權)人: | 宇部興產株式會社 |
| 主分類號: | B32B15/088 | 分類號: | B32B15/088;C08G73/10;H05K1/03 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 王健 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚酰亞胺 薄膜 合體 | ||
1.聚酰亞胺薄膜層合體,其包含芳香族聚酰亞胺層和金屬層,其是通過將聚酰胺酸溶液組合物在金屬箔上流延為膜狀,使溶劑揮發的同時將聚酰胺酸進行酰亞胺化而形成的,對于所述聚酰胺酸溶液組合物,以3,3’,4,4’-聯苯四甲酸二酐為必要成分的四羧酸二酐為初始的四羧酸二酐成分,含有0.5~30摩爾%的下述通式所示的二胺的二胺為初始的二胺成分,
上式中,A為直接鍵合或橋連基,R1~R4各自表示選自氫原子、碳原子數1~6的烴基、羥基、羧基、碳原子數1~6的烷氧基、烷氧羰基中的一員,但R1和R2的至少1個不為氫原子,R3和R4的至少1個不為氫原子。
2.權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜層合體,其中剩余部分的二胺是對苯二胺。
3.權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜層合體,其中初始的四羧酸二酐成分為3,3’,4,4’-聯苯四甲酸二酐。
4.權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜層合體,其中將金屬箔除去后的芳香族聚酰亞胺膜的彈性模量為大于等于4GPa小于9GPa。
5.權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜層合體,其中聚酰胺酸溶液組合物含有包含烷氧基硅烷化合物的硅烷偶聯劑。
6.權利要求1~5的任一項所述的聚酰亞胺薄膜層合體,其中金屬箔為銅箔。
7.權利要求6所述的聚酰亞胺薄膜層合體,其中金屬箔為具有可剝離的載體層的厚度1~10μm的銅箔。
8.聚酰亞胺薄膜層合體,其通過從權利要求7所述的層合體中剝離載體層而得到,具有厚度1~10μm的銅層。
9.聚酰亞胺薄膜層合體,其通過在權利要求1~8的任一項所述的聚酰亞胺層合體的聚酰亞胺層上直接或介由耐熱性粘合劑層合基材而成。
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