[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200680016084.1
• 申請日: 2006-04-10
• 公開（公告）號: CN101176210A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 吉持賢一
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種半導體裝置，包括：

半導體基板；

多個源極區域，其在該半導體基板上形成為條紋狀；

多個柵電極，其在所述半導體基板上的所述條紋狀的多個源極區域間形成為條紋狀；

絕緣膜，其覆蓋所述源極區域以及柵電極，并在與所述源極區域的長度方向相關的一部分規定區域上具有使源極區域局部露出的接觸孔；和

源電極，其形成在該絕緣膜上，經由所述接觸孔與所述源極區域電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述接觸孔配置在所述源極區域的長度方向端部。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述源極區域的長度方向上，隔開間隔地配置有多個所述接觸孔。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵電極包括：位于所述接觸孔側方的寬度狹窄部、和比該寬度狹窄部的寬度形成得寬的寬度寬闊部。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

相對所述柵電極自匹配地形成所述源極區域。

6.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在半導體基板上以條紋狀形成多個柵電極的工序；

以該柵電極為掩模，在所述半導體基板上以條紋狀形成多個源極區域的工序；

形成絕緣膜的工序，該絕緣膜覆蓋所述源極區域以及柵電極，并在與所述源極區域的長度方向相關的一部分規定區域上具有使源極區域局部露出的接觸孔；和

在該絕緣膜上，形成經由所述接觸孔與所述源極區域電連接的源電極的工序。