[發明專利]測量透光基板中尺寸變化的方法和裝置

有效

• 申請號: 200680014608.3
• 申請日: 2006-04-20
• 公開（公告）號: CN101495939A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發明（設計）人: R·L·福克斯;K·C·坎恩;A·J·普里斯科達
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: G06F1/28
• 分類號: G06F1/28;G06F15/00;G01N21/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 李 玲

相關申請的交叉引用

本申請要求2005年4月28日提交的題為“Method?and?apparatus?for?Measuring Dimensional?Changes?in?Transparent?Substrates(測量透光基板中尺寸變化的方法和 裝置)”的序列號No.11/118,724的美國申請的優先權，該申請通過引用結合于此。

技術領域

本發明一般涉及對透光基板的處理造成的透光基板尺寸變化的測量。

背景技術

諸如玻璃基板的透光基板廣泛應用于需要透光或光探測的許多器件中。這些 器件的示例包括，但不局限于平板顯示器、有源電子器件、光壓器件和生物陣列。 將透光基板處理成具體器件可用的形式可能會在透光基板上引入尺寸變化。這種處 理的示例包括，但不局限于切割透光基板以及將透光基板加熱到室溫以上。對玻璃 基板的切割會從玻璃基板釋放內應力，從而造成玻璃基板的變形。將玻璃基板加熱 到室溫以上可造成玻璃基板的收縮或膨脹。變形、收縮、膨脹和其它類型的尺寸變 化在諸如上述器件、尤其是陣列化器件中是有問題的。制造商通常要求陣列化器件 中結合的透光基板具有預定限制內的尺寸變化。作為示例，AMLCD(有源矩陣液 晶顯示器件)器件制造商通常要求AMLCD器件中結合的玻璃基板在處理之后具 有小于幾微米的變形。這些尺寸要求會隨AMLCD技術和制造的進步而變得更加 嚴格。

當前，基于絕對坐標系的測量系統(通常使用干涉測量法)用于測量透光基 板中的尺寸變化。在絕對測量中，使用一系列參考標記對所測量的透光基板進行標 記。在處理基板之前將參考標記預先表征在X-Y位置上。在處理基板之后，將該 基板放回到測量系統上并對X-Y參考結構進行重新表征。尺寸變化通過測量之前 的參考結構X-Y位置相對于處理之后參考結構X-Y位置的變化來指示。絕對測量 系統很可能隨所測量面積的變大而具有很大測量誤差。

綜上所述，需要一種測量透光基板中尺寸變化的方法。這種測量可用于確定 該透光基板的尺寸變化是否在預定限制之內。這種測量還可用于細調透光基板的成 分以及造成透光基板中尺寸變化的處理步驟。隨著AMLCD產業朝著大尺寸基板 發展，同樣需要一種以高分辨率(例如亞微米分辨率)測量大基板面積(例如大于 2m長)上尺寸變化的方法。

發明內容

在一方面，本發明涉及一種測量透光基板中尺寸變化的方法，包括在參考板 上形成參考標記陣列、在透光基板上形成基板標記陣列、將參考板和透光基板層疊 成使得參考標記和基板標記重疊、在處理透光基板之前和之后相對于參考標記的坐 標測量基板標記的坐標、以及從處理透光基板之前和之后所測量的基板標記相對坐 標來確定透光基板中的尺寸變化。

在另一方面，本發明涉及一種測量透光基板中尺寸變化的系統，包括參考板、 向參考板提供剛性支承的平臺、在透光基板與參考板層疊時捕獲參考板和透光基板 上的標記的圖像的成像裝置、以及耦合到成像裝置以將成像裝置定位在平臺上所需 位置的定位裝置。

從以下描述和所附權利要求書，本發明的其它特征和優點將變得顯而易見。

附圖說明

圖1A示出根據本發明一實施方式測量透光基板中尺寸變化的方法。

圖2B示出根據本發明一實施方式的定位在參考板上方的已標記透光基板。

圖1C示出基板標記相對于參考標記的坐標。

圖1D示出基板標記相對于參考標記的初始和最終位置。

圖2A-2D示出適用于本發明的標記示例。

圖3A和3B示出根據本發明一實施方式的單焦平面配置中的基板和參考標 記。

圖4A-4F示出根據本發明另一實施方式的雙焦平面配置中的基板和參考標記。

圖5A-5C示出根據本發明一實施方式的用于測量透光基板中尺寸變化的系 統。

具體實施方式

現在參考幾個較佳實施方式對本發明進行詳細描述，如附圖所示。在以下描 述中，闡述了許多具體細節以便于提供對本發明的透徹理解，然而，本領域技術人 員應該理解，本發明可在沒有這些具體細節中部分或全部的情況下進行實施。在其 它情況中，并未詳細描述公知特征和/或工藝步驟以免對本發明造成不必要的混淆。 本發明的特征和優點可通過附圖及其討論而得到更好的理解。