[發(fā)明專利]熒光轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680014365.3
• 申請(qǐng)日: 2006-04-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101167195A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·布勞恩;F·杰曼;J·斯特勞斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電燈專利信托有限公司;奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 盧江;劉春元

1.具有發(fā)射輻射的芯片(2)的熒光轉(zhuǎn)換LED，其中該芯片的初級(jí)輻射是UV至藍(lán)光，并且通過(guò)轉(zhuǎn)換元件至少部分地轉(zhuǎn)換為波長(zhǎng)更長(zhǎng)的輻射，其特征在于，所述轉(zhuǎn)換元件通過(guò)兩種熒光物質(zhì)的分開(kāi)的布置來(lái)形成，在這兩種熒光物質(zhì)中，第一熒光物質(zhì)發(fā)射紅光，而第二熒光物質(zhì)發(fā)射黃光至綠光，其中僅僅所述第一熒光物質(zhì)直接被施加在所述芯片上。

2.按照權(quán)利要求1所述的LED，其特征在于，所述第一熒光物質(zhì)的層厚最大為40μm。

3.按照權(quán)利要求1所述的LED，其特征在于，所述第二熒光物質(zhì)分散在尤其擁有至少200μm的層厚的填料中。

4.按照權(quán)利要求1所述的LED，其特征在于，所述第一熒光物質(zhì)具有在590至680nm處的峰值波長(zhǎng)，并且具有60至130nm的半值寬度。

5.按照權(quán)利要求1所述的LED，其特征在于，所述第二熒光物質(zhì)具有在490至580nm處的峰值波長(zhǎng)，并且具有30至135nm的半值寬度。

6.按照權(quán)利要求1所述的LED，其特征在于，所述芯片具有在450至470nm處的峰值波長(zhǎng)。

7.按照權(quán)利要求1所述的LED，其特征在于，所述芯片被殼體包圍，其中所述芯片(2)位于所述殼體的凹部(5)中。

8.按照權(quán)利要求1所述的LED，其特征在于，所述芯片包括薄層，并且尤其擁有用于所發(fā)射的初級(jí)輻射和次級(jí)輻射的反射器。

9.按照權(quán)利要求1所述的LED，其特征在于，紅色熒光物質(zhì)的吸收與綠黃色熒光物質(zhì)的發(fā)射明顯地重疊。