[發(fā)明專利]從襯底去除氧化物的方法和系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680010824.0
• 申請日: 2006-03-23
• 公開（公告）號: CN101151712A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安東尼·迪樸;艾倫·約翰·利思;吳昇昊
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李劍

1.一種處理襯底的方法，包括：

在處理室中提供襯底，所述襯底包括形成在其上的氧化物層；

在耦合至所述處理室的遠程等離子體源中激發(fā)含氫氣體；

在低于約900℃的第一襯底溫度下，將所述襯底暴露于受激含氫氣體流，以將所述氧化物層從所述襯底去除；

在不同于所述第一襯底溫度的第二襯底溫度下保持所述襯底；以及

在所述第二襯底溫度下，在所述襯底上形成含硅膜。

2.如權(quán)利要求1的方法，其中所述含氫氣體包括H₂氣體。

3.如權(quán)利要求1的方法，其中所述含氫氣體還包括惰性氣體。

4.如權(quán)利要求3的方法，其中所述惰性氣體包括Ar、He、Ne、Kr或Xe，或其兩種或更多種的組合。

5.如權(quán)利要求1的方法，其中所述含氫氣體的流率為約0.010-20slm。

6.如權(quán)利要求1的方法，其中所述形成包括將所述襯底暴露于含硅氣體。

7.如權(quán)利要求6的方法，其中所述含硅氣體包括SiH₄、SiCl₄、Si₂H₆、SiH₂Cl₂或Si₂Cl₆，或其兩種或更多種的組合。

8.如權(quán)利要求l的方法，其中所述形成包括將所述襯底暴露于含硅氣體和含鍺氣體，所述含硅氣體包含SiH₄、SiCl₄、Si₂H₆、SiH₂Cl₂或Si₂Cl₆或其兩種或更多種的組合，所述含鍺氣體包含GeH₄或GeCl₄或其組合。

9.如權(quán)利要求1的方法，其中所述暴露和形成在小于約100Torr的處理室壓強下進行。

10.如權(quán)利要求1的方法，其中所述暴露和形成在小于約10Torr的處理室壓強下進行。

11.如權(quán)利要求1的方法，其中所述提供包括在間歇式處理室中提供所述襯底。

12.如權(quán)利要求1的方法，其中所述襯底包括含硅材料。

13.如權(quán)利要求12的方法，其中所述含硅材料包括硅、SiGe、SiGeC、SiC、SiN、SiCN或SiCO。

14.如權(quán)利要求1的方法，其中所述含硅膜包括多晶硅、無定形硅、外延硅或硅鍺。

15.如權(quán)利要求1的方法，其中所述第一襯底溫度小于所述第二襯底溫度。

16.如權(quán)利要求1的方法，其中所述第一襯底溫度小于約500℃。

17.如權(quán)利要求1的方法，其中所述第一襯底溫度為約200-300℃。

18.如權(quán)利要求1的方法，其中所述第二襯底溫度為約500-900℃。

19.如權(quán)利要求1的方法，其中所述第二襯底溫度為約550-750℃。

20.如權(quán)利要求19的方法，其中所述第一襯底溫度為約200-300℃。

21.如權(quán)利要求1的方法，其中所述襯底包括含有一個或更多個過孔或溝槽或其組合的圖案化襯底。

22.如權(quán)利要求1的方法，其中所述含硅膜選擇性地形成在所述襯底的暴露含硅表面上。

23.如權(quán)利要求1的方法，其中所述含硅膜非選擇性地形成在所述襯底上。