[發明專利]多孔質膜的前體組合物及其制備方法、多孔質膜及其制作方法以及半導體裝置

有效

• 申請號: 200680009348.0
• 申請日: 2006-03-17
• 公開（公告）號: CN101146874A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: 藤井宣年;中山高博;金山敏彥;高村一夫;田中博文
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科;獨立行政法人產業技術綜合研究所;三井化學株式會社
• 主分類號: C09D7/12
• 分類號: C09D7/12;C09D183/00;H01L21/316
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 陳昕

1.一種多孔質膜的前體組合物，其特征在于，包含：選自下述通式(1)表示的化合物(A)及下述通式(2)表示的化合物(B)中的至少1種化合物、在250℃以上顯示熱分解的熱分解性有機化合物(C)和選自電負度為2.5以下的兩性元素、離子半徑為1.6以上的元素及原子量為130以上的元素中的至少1種元素(D)；

Si(OR¹)₄????(1)

R_a(Si)(OR²)_4-a????(2)

上述式(1)及(2)中，R¹表示1價的有機基團，R表示氫原子、氟原子或1價的有機基團，R²表示1價的有機基團，a是1～3的整數，R、R¹及R²可以相同或不同。

2.如權利要求1所述的多孔質膜的前體組合物，其特征在于，上述熱分解性有機化合物包含至少1種分子量為200～5000的表面活性劑。

3.如權利要求1或2所述的多孔質膜的前體組合物，其特征在于，上述前體組合物中所含的除上述元素(D)以外的金屬離子雜質為10ppb以下。

4.如權利要求1～3中任一項所述的多孔質膜的前體組合物，其特征在于，上述元素(D)是選自B、Al、P、Zn、GA、Ge、As、Se、In、Sn、Sb、Te、Rb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、Po、At及鑭系元素中的至少1種元素。

5.一種多孔質膜的前體組合物的制備方法，其特征在于，在有機溶劑中混合選自下述通式(1)表示的化合物(A)及下述通式(2)表示的化合物(B)中的至少1種化合物、在250℃以上顯示熱分解的熱分解性有機化合物(C)和選自電負度為2.5以下的兩性元素、離子半徑為1.6以上的元素及原子量為130以上的元素中的至少1種元素(D)或含有該元素(C)的至少1種化合物；

Si(OR¹)₄????(1)

R_a(Si)(OR²)_4-a????(2)

上述式(1)及(2)中，R¹表示1價的有機基團，R表示氫原子、氟原子或1價的有機基團，R²表示1價的有機基團，a是1～3的整數，R、R¹及R²可以相同或不同。

6.一種多孔質膜的前體組合物的制備方法，其特征在于，在有機溶劑中混合選自下述通式(1)表示的化合物(A)及下述通式(2)表示的化合物(B)中的至少1種化合物和在250℃以上顯示熱分解的熱分解性有機化合物(C)，在所得的混合液中添加選自電負度為2.5以下的兩性元素、離子半徑為1.6以上的元素及原子量為130以上的元素中的至少1種元素(D)或含有該元素(D)的至少1種化合物，進行混合；

Si(OR¹)₄????(1)

R_a(Si)(OR²)_4-a????(2)

上述式(1)及(2)中，R¹表示1價的有機基團，R表示氫原子、氟原子或1價的有機基團，R²表示1價的有機基團，a是1～3的整數，R、R¹及R²可以相同或不同。

7.如權利要求5或6所述的多孔質膜的前體組合物的制備方法，其特征在于，上述熱分解性有機化合物包含至少1種分子量為200～5000的表面活性劑。

8.如權利要求5～7中任一項所述的多孔質膜的前體組合物的制備方法，其特征在于，上述前體組合物中所含的除上述元素(D)以外的金屬離子雜質為10ppb以下。