[發明專利]制造Ⅲ族氮化物半導體元件的方法有效
| 申請號： | 200680009176.7 | 申請日： | 2006-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN101147267A | 公開（公告）日： | 2008-03-19 |
| 發明（設計）人： | 武田仁志 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 楊曉光;李崢 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 氮化物 半導體 元件 方法 | ||
1.一種在襯底上依次具有包括III族氮化物半導體的n型層、有源層以及p型層的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中，在所述n型層的生長期間或/和之后并且在所述有源層的生長之前，減小所述半導體的生長速率。
2.根據權利要求1的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中所述III族氮化物半導體的減小的生長速率小于1μm/hr。
3.根據權利要求2的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中中斷所述半導體的生長(減小的生長速率為0)。
4.根據權利要求3的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中在所述中斷期間的氣氛包括氮源和載體氣體。
5.根據權利要求1的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中所述n型層包含n型接觸層和n型覆蓋層，并且所述n型覆蓋層包含In。
6.根據權利要求5的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中在所述n型覆蓋層的生長之前減小所述半導體的生長速率。
7.根據權利要求6的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中在所述n型接觸層的生長之后并且在n型覆蓋層的生長之前，中斷所述半導體的生長。
8.根據權利要求1的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中用于減小所述生長速率的時長不小于30秒并且不大于4小時。
9.根據權利要求1的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中在其中所述半導體的生長速率被減小的減小的生長速率層的厚度不大于100nm。
10.根據權利要求1的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中在減小所述生長速率期間的襯底溫度不低于在減小所述生長速率之前即刻的所述n型層的生長過程中的襯底溫度。
11.根據權利要求1的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中在減小所述生長速率期間的所述襯底溫度為900至1400℃。
12.根據權利要求1的III族氮化物半導體元件的制造方法，其中載體氣體為含氫的氣體。
13.根據權利要求1的III族氮化物半導體元件的制造方法，氮源的流動速率為1至20升/分鐘。
14.一種通過根據權利要求1至13中的任何一項的制造方法制造的III族氮化物半導體元件。
15.一種III族氮化物半導體發光器件，其中根據權利要求14的所述III族氮化物半導體元件具有在所述n型層上的負電極和在所述p型層上的正電極。
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