[發明專利]垂直存儲器件及方法

有效

• 申請號: 200680009015.8
• 申請日: 2006-03-31
• 公開（公告）號: CN101147266A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: J－F·鄭;P·卡拉瓦德
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L29/423
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳斌

1.一種存儲單元，包括：

襯底；

從所述襯底中垂直伸出的主體；

包含垂直件和水平件的第一柵極，其中所述第一柵極相對所述主體橫向放置；以及

包含垂直件和水平件的第二柵極，其中所述第二柵極相對所述第一柵極橫向放置；

其中所述第一柵極的所述水平件與所述第二柵極的所述水平件重疊。

2.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第一和第二柵極包含多晶硅。

3.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，還包括在所述第一柵極和所述主體之間形成的第一電介質。

4.如權利要求3所述的存儲單元，其特征在于，所述第一電介質包含具有第一厚度且鄰接所述主體的垂直部分，以及具有第二厚度且鄰接所述襯底的水平部分，其中所述第二厚度大于所述第一厚度。

5.如權利要求4所述的存儲單元，其特征在于，所述第一電介質包含氧化物。

6.如權利要求3所述的存儲單元，其特征在于，還包括在所述第一和第二柵極之間的第二電介質。

7.如權利要求6所述的存儲單元，其特征在于，所述第二電介質包含氧化物-氮化物-氧化物。

8.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第一和第二柵極之間的電容耦合比在0.3至0.6之間。

9.一種存儲器陣列，包括：

多個存儲單元，其中所述單元中的每一個都包含襯底；從所述襯底中垂直伸出的主體、源極和漏極；包含垂直件和水平件的第一柵極，其中所述第一柵極相對所述主體橫向放置；以及包含垂直件和水平件的第二柵極，其中所述第二柵極相對所述第一柵極橫向放置；其中所述第一柵極的所述水平件與所述第二柵極的所述水平件重疊；

互連每一個所述存儲單元的所述第二柵極的多根柵極線；

互連每一個所述存儲單元的所述漏極的多根漏極線；以及

互連每一個所述存儲單元的所述源極的多根源極線。

10.如權利要求9所述的存儲器陣列，其特征在于，所述第一和第二柵極包含多晶硅。

11.如權利要求9所述的存儲器陣列，其特征在于，還包括在所述第一柵極和所述主體之間形成的第一電介質。

12.如權利要求11所述的存儲器陣列，其特征在于，所述第一電介質包含具有第一厚度且鄰接所述主體的垂直部分，以及具有第二厚度且鄰接所述襯底的水平部分，其中所述第二厚度大于所述第一厚度。

13.如權利要求9所述的存儲器陣列，其特征在于，所述第一和第二柵極之間的電容耦合比在0.3至0.6之間。

14.一種制造存儲單元的方法，包括：

在襯底上形成主體，所述主體從所述襯底中垂直伸出；

形成包含垂直件和水平件的第一柵極，其中所述第一柵極相對所述主體橫向放置；以及

形成包含垂直件和水平件的第二柵極，其中所述第二柵極相對所述第一柵極橫向放置；

其中所述第一柵極的所述水平件與所述第二柵極的所述水平件重疊。

15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，還包括在所述第一柵極周圍形成具有一寬度的間隔物層，其中所述寬度決定所述第一柵極的所述水平件的水平延伸。

16.如權利要求14所述的方法，其特征在于，還包括在所述第一柵極和所述主體之間形成第一電介質。

17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，形成所述第一電介質包括形成具有第一厚度且鄰接所述主體的垂直部分，以及形成具有第二厚度且鄰接所述襯底的水平部分，其中所述第二厚度大于所述第一厚度。

18.如權利要求17所述的方法，其特征在于，形成所述第一電介質包括使用摻雜增強型氧化工藝來形成所述第一電介質。

19.如權利要求17所述的方法，其特征在于，形成所述第一電介質包括使用定向介電沉積工藝來形成所述第一電介質。

20.如權利要求14所述的方法，其特征在于，還包括在所述第一和第二柵極之間形成第二電介質。