[發明專利]用于集成電路的受應力作用的層間電介質

有效

• 申請號: 200680008880.0
• 申請日: 2006-02-16
• 公開（公告）號: CN101558494A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 詹姆斯·D·伯內特;喬恩·D·奇克
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種半導體器件，包括：

邏輯部分，包括第一N溝道晶體管和第一P溝道晶體管；

靜態隨機存取存儲器陣列部分，包括第二N溝道晶體管和第二P 溝道晶體管；

位于第一P溝道晶體管之上的、具有壓縮應力的第一層間電介 質；以及

位于第二P溝道晶體管之上的第二層間電介質，其具有壓縮性 至少小于第一層間電介質的壓縮應力的應力。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第一層間電介質和 第二層間電介質包括應力不同的氮化硅。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第二P溝道晶體管 作為靜態隨機存取存儲器陣列中的上拉晶體管。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第二層間電介質位 于第一和第二N溝道晶體管之上。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括位于第一和第二N 溝道晶體管之上的、具有拉伸應力的第三層間電介質。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第二層間電介質的 應力為壓縮的。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第二層間電介質的 應力為松弛的。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第二層間電介質的 應力為拉伸的。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括位于第一和第二N 溝道晶體管之上的第三層間電介質，其具有拉伸性至少大于第二層間 電介質的拉伸應力。

10.一種半導體器件，包括：

第一部分，包括用在第一類型的電路中的第一類型的第一晶體管 和第二類型的第一晶體管；

第二部分，包括用在第二類型的電路中的第一類型的第二晶體管 和第二類型的第二晶體管；

位于第一類型的第一晶體管之上的第一層間電介質，其具有第一 類型的第一應力；以及

位于第一類型的第二晶體管之上的第二層間電介質，其具有至少 小于第一類型的第一應力的第二應力。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，

第一類型的第一晶體管和第一類型的第二晶體管為P溝道晶體 管；以及

第一類型的第一應力為壓縮性的。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，第一類型的電路 為邏輯電路而第二類型的電路為靜態隨機存取存儲器陣列。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，第一類型的第二 晶體管為靜態隨機存取存儲器陣列中的上拉晶體管。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，還包括位于第二類型的 第一和第二晶體管之上的、具有拉伸應力的第三層間電介質。

15.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，第二層間電介質 位于第二類型的第一和第二晶體管之上。

16.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

形成用于邏輯電路中的第一N溝道晶體管；

形成用于該邏輯電路中的第一P溝道晶體管；

形成用于靜態隨機存取存儲器陣列中的第二N溝道晶體管；

形成用于該靜態隨機存取存儲器陣列中的第二P溝道晶體管；

在半導體器件上沉積具有第一應力的第一電介質層；

去除位于第一P溝道晶體管之上的第一電介質層，保留位于第 一N溝道晶體管、第二N溝道晶體管以及第二P溝道晶體管之上的 第一電介質層；

在半導體器件上沉積具有壓縮性大于第一應力的第二應力的第 二電介質層；以及

去除位于第一和第二N溝道晶體管以及第二P溝道晶體管之上 的第二電介質層。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，第一應力為拉伸應力， 該方法還包括向位于第二P溝道晶體管之上的第一電介質層的第一部 分中注入以使得第一電介質層的第一部分的拉伸性變小。