[發明專利]具有多個抗反射涂層的光致抗蝕劑的成像方法

無效

• 申請號: 200680008827.0
• 申請日: 2006-02-09
• 公開（公告）號: CN101142533A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: D·J·阿卜杜拉;M·O·奈塞爾;R·R·達梅爾;G·帕夫洛夫斯基;J·比亞福爾;A·R·羅馬諾;金羽圭
• 申請（專利權）人: AZ電子材料美國公司
• 主分類號: G03F7/09
• 分類號: G03F7/09
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王健

1.光致抗蝕劑的成像方法，包括以下步驟：

a)在基材上形成多個有機抗反射涂層的堆疊體；

b)在該多個有機抗反射涂層的堆疊體的頂層上形成光致抗蝕劑的涂層；

c)用曝光設備將該光致抗蝕劑成像曝光；和

d)用顯影劑將該涂層顯影。

2.根據權利要求1的方法，其中該曝光設備包括數值孔徑大于1的透鏡。

3.根據權利要求1或2的方法，其中該曝光設備使用浸漬光刻。

4.根據權利要求1-3中任一項的方法，其中該多個抗反射涂層的堆疊體包括兩個層-底層和頂層。

5.根據權利要求1-4中任一項的方法，其中該涂層的堆疊體中的層具有不同的曝光輻射吸收率。

6.根據權利要求1-5中任一項的方法，其中在多層堆疊體中，底層比頂層吸收更多輻射。

7.根據權利要求1-6中任一項的方法，其中底層具有大于0.3的吸收率k值。

8.根據權利要求1-7中任一項的方法，其中底層具有小于1.2的吸收率k值。

9.根據權利要求1-8中任一項的方法，其中頂層具有大于0.05的吸收率k值。

10.根據權利要求1-9中任一項的方法，其中頂層具有小于0.4的吸收率k值。

11.根據權利要求1-10中任一項的方法，其中多個抗反射涂層的堆疊體反射小于2％的輻射。

12.根據權利要求1-11中任一項的方法，其中該抗反射涂層包含可固化聚合物。

13.根據權利要求12的方法，其中該抗反射涂層包含聚合物、交聯劑和酸產生劑。

14.根據權利要求13的方法，其中該酸產生劑是熱或光酸產生劑。

15.根據權利要求1-14中任一項的方法，其中成像曝光的輻射小于300nm。

16.根據權利要求1-15中任一項的方法，其中抗反射涂層中的至少一層包含有機硅化合物。

17.根據權利要求1-16中任一項的方法，其中該抗反射涂層是可旋涂的。

18.根據權利要求1-17中任一項的方法，其中該基材選自以下物質中的至少一種：硅、涂有金屬表面的硅基材、覆銅的硅晶片、銅、鋁、聚合物樹脂、二氧化硅、金屬、摻雜的二氧化硅、氮化硅、鉭、多晶硅、陶瓷、鋁/銅混合物、砷化鎵、III/V族化合物和它們的混合物。

19.根據權利要求1-18中任一項的方法，其中用顯影劑將抗反射涂層中的一層顯影。

20.涂層基材，包括：其上涂有多個有機抗反射涂層的堆疊體的基材，和在該多個有機抗反射涂層的堆疊體的頂層上涂覆的光致抗蝕劑。