[發(fā)明專利]曝光設(shè)備和曝光方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680008332.8 | 申請日: | 2006-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN101142534A | 公開(公告)日: | 2008-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 岡崎洋二;石川弘美 | 申請(專利權(quán))人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 張成新 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 曝光 設(shè)備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于通過投影光使感光材料暴露于光下的曝光設(shè)備,其中,通過成像光學系統(tǒng)實現(xiàn)了空間光調(diào)制。本發(fā)明也涉及其曝光方法。
背景技術(shù)
在現(xiàn)有技術(shù)中,包括空間光調(diào)制器的曝光設(shè)備是已知的。所述空間光調(diào)制器基于圖像信號對入射光實現(xiàn)空間光調(diào)制,并形成圖像。在該曝光設(shè)備中,由空間光調(diào)制器形成的兩維圖案被投影到感光材料上,以便對感光材料進行曝光。作為空間光調(diào)制器,數(shù)字微鏡器件(下文中表示為“DMD”)是公知的(請參照申請?zhí)枮?001-305663的未審查的日本專利申請)。在DMD中,多個微鏡兩維設(shè)置(例如1024像素×756像素),且每個微鏡的傾角都能改變。例如,由美國Texas?Instruments?Incorporated開發(fā)的DMD為人所熟知。
如上所述,在包括DMD的曝光設(shè)備中,也提供包括用于借助光形成兩維圖案的圖像的投影透鏡的成像裝置。所述投影透鏡僅僅由DMD的微鏡反射的光形成圖像,所述DMD的微鏡以預定的角度傾斜。換句話說,曝光設(shè)備實現(xiàn)曝光,以使得每個像素對應于每個微鏡,形成投影到感光材料上的兩維圖案。
在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的曝光設(shè)備中,所述投影透鏡的整個區(qū)域基本上都用于在感光材料上形成兩維圖案。在這種情況下,必需抑制通過投影透鏡的整個區(qū)域的像場彎曲(field?curvature)、象散差、變形等等,并需要改善投影透鏡的焦闌特性(telecentric?characteristic),以使得所述投影透鏡具有良好的光學性能。然而,必需提高部件的精度,并選擇更好的部件、以生產(chǎn)基本上在透鏡的整個區(qū)域上具有高光學性能的投影透鏡。因此,投影透鏡的生產(chǎn)成本很高。進而,由于在遍及其整個區(qū)域上具有高光學性能的大直徑投影透鏡難于生產(chǎn),所以不可能對大面積的感光材料進行曝光。另外,曝光速度低。
如果所述投影透鏡的光學性能差,光束位置(beam?positions)精度也會下降。因此,必需增加多重曝光的次數(shù)。這造成例如低曝光速度、低圖像質(zhì)量或類似的問題,并且惡化了曝光設(shè)備的曝光性能。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上面的敘述,本發(fā)明旨在提供一種用于在不增加生產(chǎn)成本或降低曝光速度的情況下,提高曝光性能的曝光設(shè)備和方法。
根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備包括:
光源,用于發(fā)出曝光光線;
空間光調(diào)制器,用于基于圖像信號,對從光源發(fā)出的曝光光線進行空間光調(diào)制;
成像裝置,用于以曝光光線在感光材料上形成圖像,所述曝光光線已經(jīng)進行了空間光調(diào)制;以及
焦點調(diào)整裝置,用于在通過已經(jīng)進行了空間光調(diào)制的曝光光線在感光材料上形成圖像時,通過改變已經(jīng)進行了的空間光調(diào)制的曝光光線的光程長度來調(diào)焦,其中成像裝置僅通過它的基本上成矩形的包括其中心部分的區(qū)域、用已經(jīng)進行了空間光調(diào)制的曝光光線形成圖像。
在此,所述成像裝置為在包括其中心區(qū)域的區(qū)域上具有高光學性能的成像裝置。通過增加在成像裝置的外圍區(qū)域上的變形和相應地減少包括其中心部分的區(qū)域上的變形來提高包括中心部分的區(qū)域上的光學性能。
另外,在根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備中,成像裝置通過成像裝置的基本上成矩形的區(qū)域、用已經(jīng)進行了空間光調(diào)制的曝光光線形成圖像,所述矩形區(qū)域的較長邊的長度為其較短邊長度的兩倍或更多。
在此,優(yōu)選地,基本上成矩形的區(qū)域的較長邊的長度近似為其短邊長度的2倍到5倍。
在根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備中,焦點調(diào)整裝置包括一對楔形棱鏡。所述楔形棱鏡的厚度沿已經(jīng)進行了空間光調(diào)制的曝光光線的光軸方向是變化的。另外,當用已經(jīng)進行了空間光調(diào)制的曝光光線在感光材料上形成圖像時,通過移動一對楔形棱鏡中的至少一個來進行調(diào)焦。
另外,在根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備中,焦點調(diào)整裝置包括光學系統(tǒng)和壓電元件,并且當用已經(jīng)進行了空間光調(diào)制的曝光光線在感光材料上形成圖像時,通過調(diào)整從所述光學組件到感光材料之間的距離來進行調(diào)焦。
此外,在根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備中,所述成像裝置包括透鏡。所述成像裝置能圍繞透鏡的光軸轉(zhuǎn)動或相對于其光軸垂直移動。
在根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備中,光源可以是發(fā)射由半導體激光元件發(fā)出的激光束的激光光源。
進而,在根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備中,所述激光光源可以是由多根光纖捆綁在一起形成的束型(bundle-type)光纖光源。在束型光纖光源中,由半導體激光元件發(fā)出的激光束入射到每個光纖的一端并從其另一端發(fā)射出。
另外,在根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備中,光纖光源可以通過使激光束入射在單根光纖上,而多路復用由多個半導體激光元件發(fā)出的激光束。
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