[發明專利]攝像裝置以及電子器具無效
| 申請號: | 200680007951.5 | 申請日: | 2006-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN101138090A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發明(設計)人: | 西川卓男;丹生和男;高橋弘 | 申請(專利權)人: | 柯尼卡美能達精密光學株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 曲瑩 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 裝置 以及 電子 器具 | ||
技術領域
本發明涉及能夠搭載于手機和便攜電腦等電子器具的攝像裝置,以及內藏該攝像裝置的電子器具。
背景技術
從早些時期起,已經有能夠搭載于手機和個人電腦等電子器具的小型高性能的攝像裝置被開發。這種攝像裝置中,有的備有CMOS(Complementary?Metal-oxide?Semiconductor)型影像傳感等半導體攝像元件(例如參照專利文獻1)。另外,還有一種攝像裝置被建議,其中,將半導體攝像元件裝配在基板上,使該基板和包括在半導體攝像元件上聚光用的鏡頭等光學部件一體化。
但是,CMOS型的影像傳感中,是由分別設在每一像素中的晶體管等增幅部,對光電變換部的各像素中蓄積的信號電荷進行增幅之后,將其取出。所以,由于增幅部性能的參差等原因,發生固定模式(pattern)和噪聲,而為了除去發生的固定模式和噪聲再進行輸出,在光電變換部的旁邊配置CDS(Correlated?Double?Sampling)回路等。
但是,存在如下問題,即對被攝物體進行攝像等時,當有太陽光等光線入射到CDS回路等模擬回路時,模擬回路的電容器中蓄積的信號電荷將超過由光電變換部變換而成的信號電荷,這樣導致攝像圖像的圖像質量降低。即存在如下問題,模擬回路的表面配設有鋁層等配線,該配線層起到遮光作用,遮擋入射到模擬回路的光,但是,模擬回路與光電變換部之間,由于制造上的原因,模擬回路部設有的配線層和光電變換部設有的配線層之間,有出現間隙的情況,該間隙導致遮光不足。
[專利文獻1]特開2003-60187號公報
發明內容
本發明的課題是提供一種能夠防止攝像圖像之圖像質量下降的攝像裝置,以及內藏了攝像裝置的電子器具,其中,。
為了解決上述課題,本發明涉及的攝像裝置備有:
光學部件;
半導體攝像元件,其中設有光電變換部和模擬回路部,所述光電變換部對由所述光學部件聚光的光信號進行光電變換并蓄積電信號,設有配線層,所述模擬回路部與所述光電變換部鄰接配置,設有配線層,用來輸出蓄積在所述光電變換部的所述電信號;
光侵入防止部,其防止光線從所述模擬回路部設有的配線層與所述光電變換部設有的配線層之間隙侵入。
另外,上述攝像裝置且備有基板,其上開有開口部,由所述光學部件所聚的光穿過該開口部,
所述半導體元件裝配在所述基板的反面,
所述光電變換部對穿過所述開口部的光進行光電變換,作為電信號蓄積,
所述光侵入防止部也可以通過作如下配置構成,使所述光電變換部的所述模擬回路部側的端部,與所述基板的所述開口部的端部,在入射到所述光學部件的光的光軸方向上幾乎重疊,或位于比所述開口部來得外側的位置。
另外,上述攝像裝置且備有基板,其上開有開口部,由所述光學部件所聚的光穿過該開口部,
所述半導體攝像元件裝配在所述基板的反面,
所述光電變換部對穿過所述開口部的光進行光電變換,作為電信號蓄積,
所述光侵入防止部也可以是具有遮光性的密封樹脂,將其設置成覆蓋所述模擬回路部設有的配線層與所述光電變換部設有的配線層之間隙的至少一部分。
另外,上述攝像裝置中,所述光侵入防止部也可以是具有遮光性的遮光部件,將其設置在所述模擬回路部設有的配線層與所述光電變換部設有的配線層之間隙的至少一部分上。
附圖說明
圖1:本發明實施方式1的攝像裝置立體示意圖。
圖2:沿圖1中II-II線的攝像裝置一部分省略截面圖。
圖3:圖1攝像裝置所備半導體攝像元件的光電變換部與模擬回路部回路結構說明圖。
圖4:半導體攝像元件的截面構造說明圖。
圖5:圖3的半導體攝像元件以及基板的配置狀態說明圖。
圖6:搭載了本發明攝像裝置的手機一例,其正面以及反面示意圖。
圖7:應用了本發明的實施方式2的攝像裝置一部分省略截面示意圖。
圖8:圖7攝像裝置所備半導體攝像元件的截面構造說明圖。
具體實施方式
為了達成上述目的,本發明的具體構成如下。
1.一種攝像裝置,備有:
光學部件;
半導體攝像元件,其中設有光電變換部和模擬回路部,所述光電變換部對由所述光學部件聚光的光信號進行光電變換并作為電信號蓄積,所述模擬回路與光電變換部鄰接配置,用來輸出蓄積在所述光電變換部的所述電信號;
光侵入防止部,其防止光線從所述模擬回路部設有的配線層與所述光電變換部設有的配線層之間隙侵入。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





