[發明專利]用于生長平坦半極性氮化鎵的技術有效
| 申請號: | 200680007694.5 | 申請日: | 2006-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN101138091A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發明(設計)人: | 特洛伊·J·貝克;本杰明·A·哈斯克爾;保羅·T·菲尼;史蒂文·P·登巴爾斯;詹姆斯·S·斯佩克;中村修二 | 申請(專利權)人: | 加利福尼亞大學董事會 |
| 主分類號: | H01L29/04 | 分類號: | H01L29/04 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 劉國偉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 生長 平坦 極性 氮化 技術 | ||
相關申請案的交叉參考
本申請案依據35?U.S.C.119(e)部分主張以下共同待決和共同受讓的美國專利申請案的權益:
Troy?J.Baker,Benjamin?A.Haskell,Paul?T.Fini,Steven?P.DenBaars,James?S.Speck和Shuji?Nakamura于2005年3月10日申請的標題為“TECHNIQUE?FOR?THE?GROWTH?OFPLANAR?SEMI-POLAR?GALLIUM?NITRIDE”的美國臨時專利申請案第60/660,283號,代理人案號第30794.128-US-P1號;
所述申請案是以引用的方式并入本文中。
本申請案涉及以下共同待決和共同受讓的申請案:
Robert?M.Farrell,Troy?J.Baker,Arpan?Chakraborty,Benjamin?A.Haskell,P.MorganPattison,Rajat?Sharma,Umesh?K.Mishra,Steven?P.DenBaars,James?S.Speck和ShujiNakamura于2005年6月1日申請的標題為“TECHNIQUE?FOR?THE?GROWTH?ANDFABRICATION?OF?SEMIPOLAR(Ga,Al,In,B)N?THIN?FILMS,HETEROSTRUCTURES,AND?DEVICES”的美國臨時專利申請案第60/686,244號,代理人案號第30794.140-US-P1(2005-668)號;
Troy?J.Baker,Benjamin?A.Haskell,James?S.Speck和Shuji?Nakamura于2005年7月13日申請的標題為“LATERAL?GROWTH?METHOD?FOR?DEFECT?REDUCTION?OFSEMIPOLAR?NITRIDE?FILMS”的美國臨時專利申請案第60/698,749號,代理人案號第30794.141-US-P1(2005-672)號;
Michael?Iza,Troy?J.Baker,Benjamin?A.Haskell,Steven?P.DenBaars和Shuji?Nakamura于2005年9月9日申請的標題為“METHOD?FOR?ENHANCING?GROWTH?OFSEMIPOLAR(Al,In,Ga,B)N?VIA?METALORGANIC?CHEMICAL?VAPOR?DEPOSITION”的美國臨時專利申請案第60/715,491號,代理人案號第30794.144-US-P1(2005-722)號;
John?F.Kaeding,Michael?Iza,Troy?J.Baker,Hitoshi?Sato,Benjamin?A.Haskell,James?S.Speck,Steven?P.?DenBaars和Shuji?Nakamura于2006年1月20日申請的標題為“METHODFOR?IMPROVED?GROWTH?OF?SEMIPOLAR(Al,In,Ga,B)N”的美國臨時專利申請案第60/760,739號,代理人案號第30794.150-US-P1(2006-126)號;
Hitoshi?Sato,John?F.Keading,Michael?Iza,Troy?J.Baker,Benjamin?A.Haskell,StevenP.DenBaars和Shuji?Nakamura于2006年1月20日申請的標題為“METHOD?FORENHANCING?GROWTH?OF?SEMIPOLAR(Al,In,Ga,B)N?VIA?METALORGANICCHEMICAL?VAPOR?DEPOSITION”的美國臨時專利申請案第60/760,628號,代理人案號第30794.159-US-P1(2006-178)號;
John?F.Kaeding,Hitoshi?Sato,Michael?Iza,Hirokuni?Asamizu,Hong?Zhong,Steven?P.DenBaars和Shuji?Nakamura于2006年2月10日申請的標題為“METHOD?FORCONDUCTIVITY?CONTROL?OF?SEMIPOLAR(Al,In,Ga,B)N”的美國臨時專利申請案第60/772,184號,代理人案號第30794.166-US-P1(2006-285)號;
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