[發(fā)明專利]具有增加電容的嵌入式DRAM及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680005108.3
• 申請日: 2006-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN101142671A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韋羅妮克·德容厄;奧德麗·貝爾特洛特
• 申請（專利權(quán)）人: NXP股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8242
• 分類號(hào): H01L21/8242
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 朱進(jìn)桂

1.一種在襯底(10)上形成電容器的方法，所述電容器包括第一和第二電極，在第一和第二電極之間具有電介質(zhì)材料，所述方法包括：

在所述襯底(10)上設(shè)置的第一材料層(27)中形成導(dǎo)電接觸柱(25)；

通過在電容器孔(62)內(nèi)部形成導(dǎo)電材料栓塞來形成所述第一電極，該電容器孔(62)被設(shè)置在所述第一材料層(27)上方設(shè)置的第二材料層(60)中，所述電容器孔(62)與所述導(dǎo)電接觸柱(25)對(duì)齊；

沿所述電容器孔(62)的側(cè)壁在所述第二材料層中選擇性地刻蝕溝槽(63)，并且沿所述導(dǎo)電接觸柱(25)的側(cè)壁的至少一部分延伸所述溝槽穿過所述第一材料層；以及

部分地刻蝕所述導(dǎo)電材料栓塞以便在所述電容器孔的側(cè)壁上留下導(dǎo)電材料層(64)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將終點(diǎn)停止或電介質(zhì)層(40)設(shè)置在所述第一和第二材料層(27、60)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述導(dǎo)電接觸柱(25)之前，第一材料層(27)包括在襯底(10)上方形成的預(yù)金屬化電介質(zhì)層(27)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將絕緣層(30)設(shè)置在襯底(10)和第一材料層(27)之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電材料栓塞包括鎢。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二材料層(60)包括氧化物材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在兩個(gè)分離的步驟中將第二材料層(60)沉積到第一材料層(27)上方，其中首先將第二材料層(60)的第一部分沉積到第一材料層(27)上方，在所述第一部分中形成所述電容器孔(62)，然后向所述電容器孔(62)提供所述導(dǎo)電材料栓塞，隨后將所述第二材料層(60)的剩余部分沉積到所述第一部分上方。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在沉積所述第二材料層(60)的所述剩余部分之前，將阻擋層沉積到所述第一部分上。

9.一種在襯底(10)上形成的電容器，所述電容器包括第一和第二電極，在第一和第二電極之間具有電介質(zhì)材料，其中將導(dǎo)電接觸柱(25)設(shè)置在所述襯底(10)上的第一材料層(27)中，將所述第一電極設(shè)置在所述第一材料層(27)上方設(shè)置的第二材料層(60)中，所述第一電極與所述導(dǎo)電接觸柱(25)對(duì)齊，并且包括在其內(nèi)壁上設(shè)置有導(dǎo)電材料層(64)的電容器孔(62)，其中沿所述第一電極的側(cè)壁、以及沿所述導(dǎo)電接觸柱(25)的至少一部分側(cè)壁將溝槽(63)設(shè)置在所述第二材料層(60)中。

10.一種DRAM存儲(chǔ)單元，包括根據(jù)權(quán)利要求9所述的一個(gè)或更多電容器以及用于選擇性地切換所述一個(gè)或更多電容器導(dǎo)通或斷開的一個(gè)或更多晶體管。

11.一種集成電路，包括根據(jù)權(quán)利要求10所述的一個(gè)或更多DRAM存儲(chǔ)單元。