[發(fā)明專利]利用連續(xù)在線真空沉積工序平坦化導通孔的接觸區(qū)域的系統(tǒng)及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680003398.8
• 申請日: 2006-01-26
• 公開（公告）號: CN101180714A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發(fā)明（設計）人: 托馬斯·P·布羅迪;約瑟夫·A·馬爾卡尼奧
• 申請（專利權）人: 阿德文泰克全球有限公司
• 主分類號: H01L21/4763
• 分類號: H01L21/4763
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 顧紅霞;張?zhí)焓?/td>

1.一種形成多層式電子器件的方法，包括：

(a)經(jīng)由第一陰影掩模在絕緣基板(212)上氣相沉積第一導體層(312)；

(b)經(jīng)由第二陰影掩模在所述第一導體層(312)上氣相沉積第一絕緣層(314)，所述第一絕緣層(314)中具有至少一個過孔(316)；

(c)經(jīng)由第三陰影掩模在所述第一絕緣層(314)的過孔(316)中氣相沉積第一導電填充劑(320a)；以及

(d)經(jīng)由第四陰影掩模在所述第一絕緣層(314)上氣相沉積第二導體層(318)。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，

所述第二導體層(318)沉積在所述第一絕緣層(314)的過孔(316)中的第一導電填充劑(320a)上，或者所述第二導體層(318)中具有至少一個與所述第一絕緣層(314)中的過孔(316)對準的過孔(316)。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，還包括：

(e)經(jīng)由第五陰影掩模在所述第二導體層(318)的過孔(316)中氣相沉積第二導電填充劑(320b)

(f)經(jīng)由第六陰影掩模在所述第二導體層(318)上氣相沉積第二絕緣層(410)，所述第二絕緣層(410)中具有至少一個與所述第二導體層(318)的過孔(316)對準的過孔(316)；

(g)經(jīng)由第七陰影掩模在所述第二絕緣層(410)的過孔(316)中氣相沉積第三導電填充劑(320c)；以及

(h)經(jīng)由第八陰影掩模在所述第二絕緣層(410)上以及所述第二導體層(318)的過孔(316)中的第三導電填充劑(320c)上氣相沉積第三導體層(412)。

4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，

各過孔通過等離子蝕刻方法和選擇性材料沉積方法中的一種方法形成，在選擇性材料沉積方法中限定過孔，使得僅僅通過所述選擇性沉積方法形成所述過孔。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，

所述第一導電填充劑(320a)沉積在所述第一絕緣層(314)的過孔(316)中，使得所述第一導電填充劑(320a)的與所述第一導體層(312)相對的表面相對于所述第一絕緣層(314)的與所述第一導體層(312)相對的表面基本上共面。

6.根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，

各導電填充劑(320a、320b、320c)沉積為使其與所述導電填充劑下面的層相對的表面相對于容納所述導電填充劑的過孔所在的層的表面基本上共面。

7.一種形成多層式電子器件的方法，包括：

(a)經(jīng)由第一陰影掩模在絕緣基板(212)上氣相沉積第一導體層(312)；

(b)經(jīng)由第二陰影掩模在所述第一導體層(312)上氣相沉積第一絕緣層(314)，所述第一絕緣層(314)中具有至少一個過孔(316)；以及

(c)經(jīng)由第三陰影掩模在所述第一絕緣層(314)的過孔(316)中氣相沉積導電填充劑(320)。

8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中，

所述導電填充劑(320)沉積在所述第一絕緣層(314)的過孔(316)中，使得所述導電填充劑(320)的與所述第一導體層(312)相對的表面相對于所述第一絕緣層(314)的與所述第一導體層(312)相對的表面基本上共面。

9.根據(jù)權利要求7所述的方法，還包括：

經(jīng)由第四陰影掩模在所述第一絕緣層(314)上氣相沉積第二導體層(318)。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，

所述第二導體層(318)沉積在所述第一絕緣層(314)的過孔(316)中的導電填充劑(320)上，或者所述第二導體層(318)中具有至少一個與所述第一絕緣層(314)中的過孔(316)對準的過孔(316)。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，

步驟(c)包括：在所述第一絕緣層(314)和所述第二導體層(318)的過孔中同時氣相沉積所述導電填充劑(320)。