[發明專利]形成具有不對稱電介質區域的半導體器件的方法及其結構

有效

• 申請號: 200680003369.1
• 申請日: 2006-02-01
• 公開（公告）號: CN101385133A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: L.·馬修;V.·R.·克拉岡塔;D.·C.·辛格
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L21/425
• 分類號: H01L21/425;H01L23/58
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 付建軍

1.一種用于形成半導體器件的方法，該方法包括：

形成半導體襯底；

在該半導體襯底上形成具有第一側面和第二側面的柵電極；

在柵電極之下形成柵極電介質，其中柵極電介質具有位于柵電極之下并鄰近柵電極的第一側面的第一區域、位于柵電極之下并鄰近柵電極的第二側面的第二區域、以及位于柵電極之下并介于第一區域和第二區域之間的第三區域；其中第一區域比第二區域薄，第三區域比第一區域薄且比第二區域薄。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在柵電極之下形成柵極電介質還包括：

形成第一電介質層；

向半導體襯底注入氧化增強核素以形成氧化增強區域；以及

氧化該氧化增強區域。

3.根據權利要求2所述的方法，其中注入氧化增強核素還包括向柵電極注入氧化增強核素以形成氧化增強區域。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述注入是傾斜地執行的。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在柵電極之下形成柵極電介質還包括：

形成第一電介質層；

向半導體襯底注入氧化減弱核素以形成氧化減弱區域；以及

氧化該半導體襯底。

6.根據權利要求5所述的方法，其中注入氧化減弱核素還包括向柵電極注入氧化減弱核素以形成氧化減弱區域。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述注入是傾斜地執行的。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在柵電極之下形成柵極電介質還包括：

形成第一電介質層；

向半導體襯底注入氧化增強核素以形成氧化增強區域；

向半導體襯底注入氧化減弱核素以形成氧化減弱區域；以及

氧化半導體襯底，其中氧化包括在氧化增強區域中形成電介質。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在形成柵極電介質之后形成源極延伸區域和漏極延伸區域，其中源極延伸區域比漏極延伸區域深。

10.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在形成柵極電介質之后，形成鄰近柵電極的第一側面的第一間隔件和鄰近柵電極的第二側面的第二間隔件。

11.一種用于形成半導體器件的方法，該方法包括：

提供半導體襯底；

在該半導體襯底上形成電介質層；

在該電介質層上形成柵電極，其中該柵電極具有第一側面和與第一側面相對的第二側面；

向柵電極的第一側面和半導體襯底的第一區域注入氧化增強核素，其中該第一區域位于柵電極之下并且鄰近柵電極的第一側面；以及

將半導體襯底的第一區域轉換為第一電介質，將半導體襯底的第二區域轉換為第二電介質，其中該第二區域位于柵電極之下并且鄰近柵電極的第二側面，其中第一電介質的厚度大于第二電介質的厚度。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述轉換包括對半導體襯底進行退火。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述注入包括注入從鍺、氧、氟和氯中選擇的至少一種核素。

14.根據權利要求11所述的方法，還包括向第二區域注入氧化減弱核素。

15.根據權利要求14所述的方法，其中注入氧化減弱核素包括注入氮。

16.根據權利要求11所述的方法，還包括：

在轉換第一區域和第二區域之后形成源極延伸區域和漏極延伸區域，其中源極延伸區域比漏極延伸區域深。

17.根據權利要求11所述的方法，還包括：

在轉換之后形成鄰近柵電極的第一側面的第一間隔件和鄰近柵電極的第二側面的第二間隔件。

18.根據權利要求11所述的方法，其中傾斜地執行注入。