[實用新型]適于覆蓋半導體處理腔室的至少一部分內壁的上腔室襯墊

無效

• 申請號: 200620134727.X
• 申請日: 2006-08-21
• 公開（公告）號: CN200988860Y
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: R·S·克拉克;J·Z·Y·何
• 申請（專利權）人: 應用材料有限公司
• 主分類號: C23C4/00
• 分類號: C23C4/00;H01L21/3065
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙蓉民

1.一種適于覆蓋半導體處理腔室的至少一部分內壁的上腔室襯墊，該襯墊的特征是包括：

圓柱主體，其具有上邊緣和下邊緣；

法蘭，其從所述主體的上邊緣徑向向外延伸；

凹口，其在所述主體的外表面上形成；和

狹槽，其設置在所述凹口中并穿過所述主體形成。

2.根據權利要求1所述的襯墊，其特征是進一步包括：

唇狀體，其從所述主體的內表面徑向向內延伸。

3.根據權利要求2所述的襯墊，其特征是所述唇狀體進一步包括：

具有形成在其中的O形圈凹槽的上表面。

4.根據權利要求1所述的襯墊，其特征是所述凹口進一步包括：

多個固定孔。

5.根據權利要求1所述的襯墊，其特征是所述主體的下邊緣進一步包括：

嚙合部件，其被配置成與第二襯墊配合。

6.根據權利要求5所述的襯墊，其特征是所述嚙合部件進一步包括：

兔節。

7.根據權利要求1所述的襯墊，其特征是進一步包括：

穿過所述主體形成的孔。

8.根據權利要求7所述的襯墊，其特征是所述主體進一步包括：

所述孔置于其中的凹陷。

9.根據權利要求1所述的襯墊，其特征是所述主體進一步包括：

鋁。

10.根據權利要求9所述的襯墊，其特征是所述襯墊涂覆有Y₂O₃。

11.根據權利要求1所述的襯墊，其特征是所述主體的內表面涂覆有Y₂O₃。

12.根據權利要求1所述的襯墊，其特征是所述主體是以下情況中至少之一：由釔或其氧化物制造或涂覆有釔或其氧化物。

13.根據權利要求5所述的襯墊，其特征是所述嚙合部件進一步包括半個兔節。

14.根據權利要求1所述的襯墊，其特征是所述法蘭是多角形的。

15.根據權利要求14所述的襯墊，其特征是所述多角形法蘭進一步包括：

斜切的角度。

16.一種適于覆蓋半導體處理腔室的至少一部分內壁的上腔室襯墊，所述襯墊的特征是包括：

圓柱主體，其具有上邊緣和下邊緣，其中所述主體是以下情況中的至少一種：由釔或釔氧化物制造或涂覆；

法蘭，其從所述主體的上邊緣徑向向外延伸；

嚙合部件，其在所述下邊緣中形成并經配置與第二襯墊配合；

凹口，其在所述主體的外表面上形成；和

狹槽，其設置在所述凹口中并穿過所述主體形成。

17.根據權利要求16所述的襯墊，其特征是進一步包括：

唇狀體，其從所述主體的內表面徑向向內延伸并具有上表面，所述上表面具有形成在其中的O形圈凹槽。

18.根據權利要求16所述的襯墊，其特征是所述凹口進一步包括：

多個固定孔。

19.根據權利要求16所述的襯墊，其特征是所述法蘭是多邊形并包括：

斜切的角度。

20.一種適于覆蓋半導體處理腔室的至少部分內壁的上腔室襯墊，所述襯墊的特征是包括：

圓柱形鋁主體，其具有上邊緣、下邊緣、外壁和內壁；

釔或釔氧化物中的至少一種的涂層，其設置在所述主體的內壁上；

法蘭，其從所述主體的上邊緣徑向向外延伸；

階梯狀的嚙合部件，其在所述下邊緣中形成，并經配置從而與第二襯墊匹配；

唇狀體，其從所述主體的內表面徑向向內延伸，并具有上表面，該上表面具有形成在其中的O形圈凹槽；

凹口，其在所述主體的外表面中形成，并具有多個固定孔；

凹陷，其在所述主體的外壁中形成；

孔，其設置在所述凹陷處并穿過所述主體形成；和

狹槽，其設置在所述凹口中并穿過所述主體形成。