[實用新型]電壓控制晶體管和橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管

無效

• 申請號: 200620122164.2
• 申請日: 2006-07-10
• 公開（公告）號: CN200990379Y
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 蔣秋志;黃志豐
• 申請（專利權）人: 崇貿科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種電壓控制晶體管，其特征在于其包括電壓控制端子、源極端子和漏極端子；其中不連續的極性分布結構形成于所述漏極端子與所述電壓控制端子之間；所述電壓控制端子連接到與所述漏極端子具有相同摻雜極性的輔助區域；準連接摻雜區域連接所述電壓控制晶體管的漏極區域域與所述輔助區域；其中所述準連接摻雜區域具有由漏極電壓電位控制的兩個耗盡邊界。

2.根據權利要求1所述的電壓控制晶體管，其特征在于其中互補摻雜區域設置在所述電壓控制晶體管的所述漏極端子與所述電壓控制端子之間，其中所述互補摻雜區域的摻雜極性與所述電壓控制晶體管的所述漏極端子的摻雜極性互補。

3.根據權利要求1所述的電壓控制晶體管，其特征在于其中所述不連續極性分布結構部分由所述準連接摻雜區域組成，其中所述準連接摻雜區域平行于所述電壓控制晶體管的導電溝道且有助于所述兩個耗盡邊界夾止。

4.一種電壓控制晶體管，其特征在于其包括漏極、柵極和源極，其中準連接摻雜區域連接所述漏極和所述柵極，所述準連接摻雜區域具有由漏極電壓電位控制的兩個耗盡邊界，其中所述電壓控制晶體管的漏極與柵極之間具有由所述兩個耗盡邊界所控制的寄生電阻器。

5.一種橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于其包括漏極、柵極和源極，其中準連接摻雜區域連接所述漏極和所述柵極，具有不連續極性分布結構的所述準連接摻雜區域平行于所述橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的導電溝道。

6.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于其還包括第一互補摻雜區域，所述第一互補摻雜區域的摻雜極性與所述漏極的摻雜極性互補，所述第一互補摻雜區域設置在所述漏極與所述柵極之間。

7.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于其還包括第二互補摻雜區域，所述第二互補摻雜區域的摻雜極性與所述漏極的摻雜極性互補，所述第二互補摻雜區域耦合到所述準連接摻雜區域中的所述柵極的邊緣。

8.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于其中所述準連接摻雜區域的摻雜濃度的范圍是從1.7E17/cm³到8.3E18/cm³。

9.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于其中所述準連接摻雜區域的深度的范圍是從2μm到10μm。

10.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于其中所述準連接摻雜區域中的所述不連續極性分布結構的寬度介于0μm與20μm之間。

11.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于其中設置在所述柵極下的柵極氧化層具有范圍從300到1000的厚度。

12.根據權利要求6所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于其中所述第一互補摻雜區域的摻雜濃度的范圍是從3.3E17/cm³到1E19/cm³。

13.根據權利要求6所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于其中所述第一互補摻雜區域的深度的范圍是從1μm到5μm。