[實用新型]以有源電感為負載的CMOS寬帶低噪聲放大器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200620052646.5 | 申請日: | 2006-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN200976569Y | 公開(公告)日: | 2007-11-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王鎮(zhèn)道;陳迪平;陳奕星;朱小莉 | 申請(專利權)人: | 湖南大學 |
| 主分類號: | H03F1/26 | 分類號: | H03F1/26 |
| 代理公司: | 長沙市融智專利事務所 | 代理人: | 顏昌偉 |
| 地址: | 410082湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 電感 負載 cmos 寬帶 低噪聲放大器 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種低噪聲放大器,特別涉及一種以有源電感為負載的CMOS寬帶低噪聲放大器。
背景技術
有源電感主要用于濾波器和低噪聲放大器部分。但因為噪聲的原因,有源電感在低噪聲放大器中的應用亦不多見,主要還處于研究階段。隨著RF通信系統(tǒng)市場的增長,越來越多的RF器件在CMOS工藝上實現(xiàn),包括電感和電容。其中,就電感而言,目前的多數(shù)研究集中于片上無源電感的實現(xiàn)和建模。然而,盡管通過使用立體電感或是微機電工藝可以克服片上電感的低Q等缺點,卻無法解決其占用面積過大的缺點。低噪聲放大器中,一個1~2nH的電感所占用的面積可能超過其余所有有源器件所占面積之和。
實用新型內(nèi)容
為解決上述技術問題,本實用新型提供一種以有源電感為負載的CMOS寬帶低噪聲放大器。
本實用新型解決上述技術問題的技術方案是:有源電感部分包括PMOS管M3和M4,NMOS管M1、M2、M5、M6和M7,所述M7的柵極為有源電感部分的輸入端,M7的源極與M5的漏極和M2的源極連接至一點,M7的漏極接至M1的源極;所述M3的柵極和所述M4的柵極共同連至V3端,M3的漏極、M4的漏極及M6的漏極共同接至VDD,M3的源極接至M2的漏極,M4的源極接至M1的漏極;M1的柵極和M2的柵極共同連至V4;M5的柵極與V3相連,源極接地;M6的柵極接至M4的源極,M6的源極與M7的柵極相連;寬帶放大器部分包括NMOS管M9、M11、M8和10,電容C2和阻感RL,M9的柵極和M11的柵極共同連至V2,M9的源極和M11的源極接地,M9的漏極與M8的源極相連,M11的漏極與M10的的源極并接到電容C2的一端;所述M8的柵極與電容V1相連,M8的漏極接至所述M10的柵極;M10的漏極與VDD相連;C2的另一端經(jīng)RL接地。
本實用新型的有益效果是:本實用新型設計了一個以有源電感為負載的寬帶低噪聲放大器,完全省去了片上電感,克服了片上電感占用芯片面積大(可以≥50%)的缺點,提出的有源電感采用級聯(lián)型優(yōu)化設計,電感Q值高且功耗低,同時在滿足功耗及增益指標的情況下解決了S11與S21峰值重疊的問題并得到較好的噪聲指標(不超過5DB),在權衡各項指標的情況下得到較為理想的性能參數(shù)。
下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明。
附圖說明
圖1以有源電感為負載的寬帶LNA
具體實施方式
參見圖1,本實用新型由有源電感和寬帶低噪聲放大器兩部分組成。有源電感部分由6個MOS管所組成,每個MOS管各具有一個柵極、一個源極和一個漏極,其中M3和M4為PMOS管,M1、M2、M5、M7和M6為NMOS管。其連接關系為:所述M7的柵極為所述有源電感部分的輸入端,M7的源極與所述M5的漏極和所述M2的源極連接至一點,M7的漏極接至所述M1的源極。所述M3的柵極和所述M4的柵極共同連至V3,M3的漏極與M4的漏極共同接至VDD,M3的源極接至所述M2的漏極,M4的源極接至所述M1的漏極;所述M1的柵極和所述M2的柵極共同連至V4。M1和M2、M4和M3均為共柵結(jié)構(gòu),M3和M4分別以串聯(lián)方式與M2和M1級聯(lián)。所述M5的柵極與V3相連,源極接地。所述M6的漏極與VDD相連,M6的柵極接至所述M4的源極,M6的源極與所述M7的柵極相連。
工作時:M7完成輸入功能。M1~M4有利于對電感各項參數(shù),如Q值和帶寬等進行調(diào)節(jié),但同時更對輸入輸出的匹配產(chǎn)生影響,適當調(diào)節(jié)其柵寬,可以改善S參數(shù)并分離S21和S11的峰值,M3和M4主要影響增益。M5反饋系統(tǒng)的增加可以降低電感的寄生電阻值,有益于輸入輸出的50歐姆匹配。
寬帶放大器部分由NMOS管M9、M11、M8和M10,電容C2和阻感RL所組成。其連接關系為:所述M9的柵極和所述M11的柵極共同連至V2,M9的源極和M11的源極接地,M9的漏極與所述M8的源極相連,M11的漏極與所述M10的的源極共同接至所述C2的一端。所述M8的柵極與V1相連,M8的漏極接至所述M10的柵極。所述M10的漏極與VDD相連。所述C2的另一端接至所述RL的一端,C2與RL串聯(lián)連接,所述RL的另一端接地。
工作時:M9與M11均與輸入端相連,對輸入阻抗產(chǎn)生影響。其中M9作為輸入管M8的偏置,對功耗影響很大,設計時必須在功耗及S參數(shù)值間取得折中。M11和M10作為輸出緩沖,完成輸出阻抗變換。RL為50歐負載。
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