[實用新型]用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200620046459.6
• 申請日: 2006-09-29
• 公開（公告）號: CN201007770Y
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊海鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/133
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種薄膜晶體管陣列基板，特別是涉及一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管基板。

背景技術(shù)

液晶顯示器是目前最被廣泛使用的一種平面顯示器，而薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的出現(xiàn)使得液晶顯示器進(jìn)入了高畫質(zhì)、真彩色顯示的新階段，成為全球液晶顯示領(lǐng)域的發(fā)展熱點，目前的TFT液晶顯示器，一般包括有TFT陣列基板、CF(彩膜)基板、設(shè)置在陣列基板和CF基板之間的液晶層、背光模塊及偏光片，其中TFT陣列基板主要由玻璃基板、薄膜晶體管、絕緣層、半導(dǎo)體層和ITO(氧化銦錫)像素電極層構(gòu)成，薄膜晶體管與普通晶體管相同，有柵極、源極和漏極三個電極，柵極被形成在與玻璃基板直接接觸的金屬層上，漏極和源極做在同一層金屬層上，它們之間為起絕緣作用的絕緣層、形成導(dǎo)電溝道的半導(dǎo)體層，漏極上面為起保護(hù)作用的鈍化層和作為像素電極的透明導(dǎo)電薄膜ITO層。漏極與顯示像素電極ITO層通過鈍化層上的接觸孔相連，ITO層與基體上柵極線重疊區(qū)域以及它們之間的絕緣層構(gòu)成液晶像素存儲電容。

在TFT液晶顯示器陣列工序進(jìn)行中，為了移動基板進(jìn)行操作，用于頂起并且支撐基板的支柱，在頂起的時候容易產(chǎn)生靜電，在柵極層與源極交疊處附近，由于存在半導(dǎo)體層，與支柱端形成電容Ca，與柵極層形成電容C_b，假設(shè)支柱端靜電電位為U_d，在高電位U_d的影響下半導(dǎo)體層的電子積聚速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳導(dǎo)速度，使得柵極層與源極層之間的電壓急劇增大，同時柵極層與源極層之間電容較小從而被擊穿，導(dǎo)致像素破壞，影響良率。

針對上述靜電問題，日立公司申請的CN95197936.1專利公開了一種抗靜電的有源矩陣式液晶顯示器，通過在外圍多余的柵線與漏線交叉處設(shè)置開關(guān)元件，用于降低靜電擊穿后帶來的損害，這種結(jié)構(gòu)的液晶顯示器，雖然能夠降低靜電擊穿后帶來的損害，但因其不能事先防止靜電擊穿，而且該結(jié)構(gòu)只在顯示區(qū)域的周邊上有效，功能相對局限。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種在不改變現(xiàn)有工藝條件、不影響顯示區(qū)域的情況下、能夠有效防止局部靜電擊穿、提高產(chǎn)品良率的薄膜晶體管陣列基板。

本實用新型是這樣實現(xiàn)的：用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板包括有透明基板、薄膜晶體管，柵電極形成在與透明基板直接接觸的第一金屬層上，漏電極和源電極形成在第二金屬層上，第一金屬層和第二金屬層之間設(shè)置有半導(dǎo)體層，透明基板的底端設(shè)置有支柱；其中所述柵電極與源電極交疊處沿著源電極方向在柵電極兩側(cè)的邊緣上設(shè)置有突起。

所述突起可以設(shè)置有1～4個。

所述半導(dǎo)體層包括n+Si半導(dǎo)體層和a-Si半導(dǎo)體層。

所述突起部分內(nèi)的半導(dǎo)體層邊界靠近柵電極的邊界。

基于上述構(gòu)思，本實用新型的薄膜晶體管陣列基板由于在柵電極與源電極交疊處的柵電極層邊緣上設(shè)置有突起，在不改變現(xiàn)有工藝條件，不影響顯示區(qū)域的情況下，增大了半導(dǎo)體層和柵極層的正對面積，即增大了柵極層與源極層之間的電容Cb，在支柱發(fā)生靜電時，根據(jù)電量守恒定律可得：

Ud*Ca＝Vdg*(Ca+Cb)

其中，Vdg為半導(dǎo)體層相對于柵極層的相對電壓，Ca為半導(dǎo)體層與支柱端之間的電容，由此可知當(dāng)靜電產(chǎn)生時半導(dǎo)體層與柵極層之間的電壓分壓為Vdg＝Ud*Ca/(Ca+Cb)，Ud為支柱端的靜電電位，可以看作是一個不變量，因此，當(dāng)Cb增加時，可以降低Vdg，另外，突起結(jié)構(gòu)還增大了側(cè)向的柵極線與源極線之間的電容，在突起部分將半導(dǎo)體層的邊界盡量靠近柵電極的邊界，還能夠減少Ca，可以有效的降低靜電發(fā)生擊穿的概率，防止柵極線與源極線交疊處的靜電擊穿，預(yù)防像素電極的破壞，提高產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型實施例的截面示意圖；

圖3是圖1中的A-A剖示圖；

圖4是圖1中的B-B剖示圖。

圖中：

1.透明基板????2.薄膜晶體管??????3.柵電極

4.源電極??????5.漏電極??????????6.第一金屬層(柵極層)

7.第二金屬層(源極層)8.絕緣層????9.半導(dǎo)體層

10.鈍化層????11.像素電極????????12.接觸孔

13.支柱??????14.突起????????????15.n+Si半導(dǎo)體層

16.a-S?i半導(dǎo)體層