[發(fā)明專利]磁頭

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610172284.8
• 申請日: 2006-12-30
• 公開（公告）號: CN101114455A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發(fā)明（設計）人: 青木健一郎;中田敏幸
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;G11B5/17;G11B5/60;G11B21/21
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黨曉林;徐敏剛

1.一種磁頭，其中，讀出頭和寫入頭被依次設置在基板上，在所述讀出頭中，從記錄介質發(fā)出的記錄磁通量轉化成電信號的讀出元件被設置在一對保護層之間，所述寫入頭通過將由流過寫入線圈的寫入電流所產生的磁通量從磁極單元發(fā)送到所述記錄介質而磁性地記錄信息；所述磁頭的特征在于，具有：

加熱器線圈，該加熱器線圈通過絕緣層相對于所述寫入線圈布置，并且通過通電和加熱產生的熱膨脹使得面向介質表面朝向所述記錄介質側突出；

低熱傳導層，該低熱傳導層挨著所述讀出頭的基板側的所述保護層設置，并且由具有低熱傳導率的材料制成，該材料抑制了由于所述加熱器線圈的通電和加熱所產生的熱量的傳導；以及

低熱膨脹層，該低熱膨脹層設置在所述低熱傳導層的基板側，并且由具有低熱膨脹系數(shù)的材料制成。

2.根據(jù)權利要求1所述的磁頭，其特征在于，所述低熱傳導層包括氧化硅(SiO₂)或樹脂材料。

3.根據(jù)權利要求1所述的磁頭，其特征在于，所述低熱膨脹層包括碳化硅(SiC)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化硅(SiO₂)、氮化鋁(AlN)、鎢(W)、鉬(M)和殷鋼材料中的至少任何一種。

4.根據(jù)權利要求1所述的磁頭，其特征在于，所述低熱膨脹層通過將氮化鋁層設置在電極之間而形成壓電傳感器結構。

5.根據(jù)權利要求1所述的磁頭，其特征在于，所述低熱膨脹層具有0.0/K至7.5E-6/K的熱膨脹系數(shù)。

6.根據(jù)權利要求1所述的磁頭，其特征在于，所述低熱傳導層具有0.1W/m至1.5W/m的熱傳導率。

7.一種磁頭，其中，讀出頭和寫入頭被依次設置在基板上，在所述讀出頭中，從記錄介質發(fā)出的記錄磁通量轉化成電信號的讀出元件被設置在一對保護層之間，所述寫入頭通過將由流過寫入線圈的寫入電流所產生的磁通量從磁極單元發(fā)送到所述記錄介質而磁性地記錄信息；所述磁頭的特征在于，具有：

加熱器線圈，該加熱器線圈通過絕緣層面對所述寫入線圈布置，并且通過由于通電和加熱產生的熱膨脹使得面向介質表面朝向所述記錄介質側突出；以及

低熱傳導層，該低熱傳導層挨著所述寫入頭基板側的所述保護層設置，并且由具有低熱傳導率的材料制成，該材料限制了由于所述加熱器線圈的通電和加熱所產生的熱量的傳導。

8.根據(jù)權利要求7所述的磁頭，其特征在于，所述低熱傳導層包括氧化硅(SiO₂)或樹脂材料。

9.根據(jù)權利要求7所述的磁頭，其特征在于，所述低熱傳導層具有0.1W/m至1.5W/m的熱傳導率。

10.一種磁頭，其中讀出頭和寫入頭被依次設置在基板上，在所述讀出頭中，從記錄介質發(fā)出的記錄磁通量轉化成電信號的讀出元件被設置在一對保護層之間，所述寫入頭通過將由流過寫入線圈的寫入電流所產生的磁通量從磁極單元發(fā)送到所述記錄介質而磁性地記錄信息；所述磁頭的特征在于，具有：

加熱器線圈，該加熱器線圈通過絕緣層相對于所述寫入線圈布置，并且通過由于通電和加熱產生的熱膨脹使得面向介質表面朝向所述記錄介質側突出；以及

低楊氏模量層，該低楊氏模量層挨著所述讀出頭的基板側的所述保護層設置，并且由這樣的材料制成，該材料容易通過熱膨脹發(fā)生變形并且具有較低的楊氏模量。

11.根據(jù)權利要求10所述的磁頭，其特征在于，該磁頭還具有熱低膨脹層，該低熱膨脹層設置在所述低楊氏模量層的基板側并且由具有低熱膨脹系數(shù)的材料制成。

12.根據(jù)權利要求10所述的磁頭，其特征在于，所述低楊氏模量層包括保護層、聚酰亞胺和無定形碳氟聚合物中的任一個。

13.根據(jù)權利要求10所述的磁頭，其特征在于，所述低楊氏模量層具有1GPa-50GPa的楊氏模量。

14.根據(jù)權利要求10所述的磁頭，其特征在于，所述低楊氏模量層通過所述加熱器線圈的通電和加熱使得包括所述讀出元件和所述記錄元件的所述面向介質表面相對于所述基板側局部地突出，從而保持與所述介質的接觸狀態(tài)。