[發明專利]一種互補式金屬氧化層半導體磁傳感器無效
| 申請號： | 200610171657.X | 申請日： | 2006-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN101212016A | 公開（公告）日： | 2008-07-02 |
| 發明（設計）人： | 周盛華;吳南健;楊志超 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L43/00 | 分類號： | H01L43/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 互補 金屬 氧化 半導體 傳感器 | ||
1.一種互補式金屬氧化層半導體CMOS磁傳感器，其特征在于，該磁傳感器包括：
一偏置電路，用于為磁場感應場效應晶體管MagFET電流鏡和差分放大器提供直流工作點；
一MagFET電流鏡，用于將磁信號轉換為雙端電信號，并輸出給差分放大器；
一差分放大器，用于將MagFET電流鏡輸入的雙端電信號轉換為單端信號并把信號放大，輸出給壓控振蕩器；
一壓控振蕩器，用于將差分放大器輸入單端信號轉換為頻率信號輸出。
2.根據權利要求1所述的CMOS磁傳感器，其特征在于，所述MagFET電流鏡為磁電轉換器，由一個N型和一個P型的MagFET連接構成。
3.根據權利要求2所述的CMOS磁傳感器，其特征在于，所述P型MagFET的柵極接到其自身的一個漏極上；所述N型MagFET的柵極電壓由所述偏置電路提供，控制MagFET電流鏡的電流大小。
4.根據權利要求1所述的CMOS磁傳感器，其特征在于，所述差分放大器的兩個輸入端分別接到N型和P型的MagFET交叉連接線上，將MagFET的雙端輸出信號轉為單端輸出信號，同時將信號放大。
5.根據權利要求1或4所述的CMOS磁傳感器，其特征在于，所述差分放大器為一個一級的CMOS差分放大器。
6.根據權利要求1所述的CMOS磁傳感器，其特征在于，所述壓控振蕩器由一個電壓/電流轉換器和一個基于RS觸發器的振蕩電路構成。
7.根據權利要求6所述的CMOS磁傳感器，其特征在于，所述電壓/電流轉換器由一個電阻，一個N型的MOS管和一個P型的MOS管電流鏡構成。
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