[發(fā)明專利]檢測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610169568.1
• 申請(qǐng)日: 2006-12-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101206990A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳卓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01J37/244
• 分類號(hào): H01J37/244;H01L21/66;H01L21/3065;G01T1/29;H05H1/00
• 代理公司: 北京凱特來(lái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 趙鎮(zhèn)勇

1.一種檢測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度的方法，其特征在于，包括步驟：

A、在反應(yīng)腔室內(nèi)需檢測(cè)的位置設(shè)置多個(gè)檢測(cè)裝置；

B、通過(guò)檢測(cè)裝置檢測(cè)所在位置的等離子體發(fā)射的光譜強(qiáng)度，并通過(guò)檢測(cè)到的光譜強(qiáng)度，分析反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度的方法，其特征在于，所述的多個(gè)檢測(cè)裝置設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)的硅片上表面，用于檢測(cè)硅片上方空間的等離子體的密度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度的方法，其特征在于，所述的檢測(cè)裝置有5～10個(gè)，均布在硅片上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度的方法，其特征在于，所述的檢測(cè)裝置有5個(gè)，其中1個(gè)布置在硅片的中央部位；其中4個(gè)均布在硅片的周邊位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度的方法，其特征在于，所述的檢測(cè)裝置有7個(gè)，其中1個(gè)布置在硅片的中央部位；其中6個(gè)均布在硅片的周邊位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度的方法，其特征在于，所述的檢測(cè)裝置有9個(gè)，其中1個(gè)布置在硅片的中央部位；其中8個(gè)均布在硅片的周邊位置。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至6所述的檢測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度的方法，其特征在于，所述的檢測(cè)裝置的上方設(shè)有抗等離子體轟擊薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6所述的檢測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度的方法，其特征在于，所述的檢測(cè)裝置包括感光元件和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)等離子體分布密度的方法，其特征在于，所述的檢測(cè)裝置檢測(cè)的信號(hào)通過(guò)無(wú)線系統(tǒng)傳輸?shù)椒磻?yīng)腔室外部的接收裝置。