[發明專利]用于電吸收調制激光器封裝用的熱沉

無效

• 申請號: 200610165108.1
• 申請日: 2006-12-13
• 公開（公告）號: CN101202418A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 侯廣輝;劉宇;祝寧華
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/022;H01S5/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平

技術領域

本發明屬于半導體光電子器件領域，更具體說是一種用于電吸收調制激光器封裝用的熱沉。

背景技術

分布反饋(DFB)激光器與電吸收(EA)調制器的單片集成器件，即電吸收調制激光器作為一種可靠的光源在長距離高速光纖傳輸系統中發揮著重要的作用。集成光源使用外調制技術避免了高速調制時激光器中光子與電子之間的相互作用，減小了直接調制引起的較大啁啾，而且，集成光源還具有體積小，耦合效率高，低啁啾等優點。集成器件封裝用的熱沉不能使用一般的分立器件使用的熱沉，這是因為：

1，集成器件中的DFB激光器和EA調制器工作所需的電信號要同時加載，這至少需要三個熱沉電極，必須重新設計熱沉上電極的位置；

2，集成器件中DFB和EA彼此之間存在著信號的耦合，從EA調制器頂端焊盤加載的高頻信號能夠通過焊盤間的電容耦合到激光器的頂端焊盤，對激光器進行直接調制，經過調制的出射光注入到調制器被吸收后在調制器的電端口也會引起附加調制。

這種光電耦合作用會降低集成光源的響應帶寬，對器件的高頻特性產生很大影響。封裝使用的熱沉必須消除掉這一因素。

發明內容

為了解決以上問題，本發明提出了一種用于電吸收調制激光器封裝用的熱沉，應用本發明的結構設計可以很好地完成集成芯片的高頻測試，同時避免了前述提到的耦合作用，從而極大地改善集成光源的高頻響應。

本發明解決其技術問題的技術方案是：

本發明一種用于電吸收調制激光器封裝用的熱沉，其特征在于，其中包括：

一熱沉；

一第一信號電極，該第一信號電極蒸鍍在熱沉的一側，該第一信號電極用來給電吸收調制激光器提供工作時DFB激光器所需要的偏置電流；

一第二信號電極，該第二信號電極蒸鍍在熱沉的另一側的上端，該第二信號電極用來給電吸收調制激光器提供工作時EA調制器所需要的反向偏置電壓和高頻調制信號；

一薄膜電阻，該薄膜電阻制作在熱沉上，位于第二信號電極的一側，并與第二信號電極連接，該薄膜電阻的作用是在實際測試過程中降低電吸收調制激光器中EA調制器的高阻；

一地電極，該地電極蒸鍍在熱沉表面，形狀概似一倒T型結構，該地電極與薄膜電阻連接，該地電極用來提供一個連接到地的電極；

一旁路電容，該旁路電容制作在地電極上，靠近第一信號電極，該旁路電容的作用是將DFB激光器和EA調制器之間存在的耦合電信號導入到地。

其中熱沉的材料是氮化鋁或無氧高電導銅或金剛石或銀或金或碳化硅或氧化鈹。

其中所述的薄膜電阻是50的匹配薄膜電阻。

其中所述的旁路電容是3.9pF的旁路電容。

其中第一信號電極、第二信號電極和地電極的表面鍍金。

本發明的有益效果是：在熱沉上制作了三個電極，可以同時加載電信號到DFB激光器和EA調制器，完成器件的高頻測試；同時在熱沉上靠近激光器信號電極的位置并聯了一個到地電極的電容，測試時，用金絲將熱沉上的信號電極和旁路電容連接起來，這樣，從EA調制器耦合到激光器的高頻信號就被導入到了地電極，不會再對激光器產生附加調制，從而改善了集成光源的高頻響應特性。

附圖說明

為進一步說明本發明的技術內容，以下結合附圖和實施例對本發明作進一步說明，其中：

圖1是本發明用于電吸收調制激光器封裝用的熱沉的結構俯視圖；

圖2是應用本發明的一實施例，是用于電吸收調制激光器封裝用的具有旁路電容結構的熱沉的測試裝配圖。

具體實施方式

請參閱圖1所示，本發明是一種用于電吸收調制激光器封裝用的熱沉，其中包括：

一熱沉1；其中熱沉1的材料是氮化鋁或無氧高電導銅或金剛石或銀或金或碳化硅或氧化鈹。

一第一信號電極3，該第一信號電極3蒸鍍在熱沉1的一側；第一信號電極3是為了給電吸收調制激光器提供工作時DFB激光器所需要的偏置電流，在三端口測試中也可以直接為激光器提供所需要的高頻調制信號，在實際測試中，第一信號電極3將會用金絲和電吸收調制激光器的DFB激光器的頂端焊盤相連接。