[發(fā)明專利]用于電吸收調(diào)制激光器封裝用的熱沉無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610165108.1 | 申請日: | 2006-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN101202418A | 公開(公告)日: | 2008-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 侯廣輝;劉宇;祝寧華 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號: | H01S5/024 | 分類號: | H01S5/024;H01S5/022;H01S5/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 100083北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 吸收 調(diào)制 激光器 封裝 | ||
1.一種用于電吸收調(diào)制激光器封裝用的熱沉,其特征在于,其中包括:
一熱沉;
一第一信號電極,該第一信號電極蒸鍍在熱沉的一側(cè),該第一信號電極用來給電吸收調(diào)制激光器提供工作時DFB激光器所需要的偏置電流;
一第二信號電極,該第二信號電極蒸鍍在熱沉的另一側(cè)的上端,該第二信號電極用來給電吸收調(diào)制激光器提供工作時EA調(diào)制器所需要的反向偏置電壓和高頻調(diào)制信號;
一薄膜電阻,該薄膜電阻制作在熱沉上,位于第二信號電極的一側(cè),并與第二信號電極連接,該薄膜電阻的作用是在實(shí)際測試過程中降低電吸收調(diào)制激光器中EA調(diào)制器的高阻;
一地電極,該地電極蒸鍍在熱沉表面,形狀概似一倒T型結(jié)構(gòu),該地電極與薄膜電阻連接,該地電極用來提供一個連接到地的電極;
一旁路電容,該旁路電容制作在地電極上,靠近第一信號電極,該旁路電容的作用是將DFB激光器和EA調(diào)制器之間存在的耦合電信號導(dǎo)入到地。
2.如權(quán)利要求1所述的用于電吸收調(diào)制激光器封裝用的熱沉,其特征在于,其中熱沉的材料是氮化鋁或無氧高電導(dǎo)銅或金剛石或銀或金或碳化硅或氧化鈹。
3.如權(quán)利要求1所述的用于電吸收調(diào)制激光器封裝用的熱沉,其特征在于,其中所述的薄膜電阻是50Ω的匹配薄膜電阻。
4.如權(quán)利要求1所述的用于電吸收調(diào)制激光器封裝用的熱沉,其特征在于,其中所述的旁路電容是3.9pF的旁路電容。
5.如權(quán)利要求1所述的用于電吸收調(diào)制激光器封裝用的熱沉,其特征在于,其中第一信號電極、第二信號電極和地電極的表面鍍金。
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