[發(fā)明專利]激光加工用的間隙檢測裝置及方法、激光加工用系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610164231.1 | 申請日: | 2006-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN101089546A | 公開(公告)日: | 2007-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 巖田高明;大村浩嘉;今井祥人;高橋悌史 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | G01B7/14 | 分類號: | G01B7/14;B23K26/00;B23K26/42 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 許海蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 工用 間隙 檢測 裝置 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種激光加工機(jī)用的間隙檢測裝置,該間隙檢測裝置檢測激光加工機(jī)中的輸出激光的噴頭與由該激光加工的加工對象物之間的間隙,其特征在于具備:
求合成阻抗的倒數(shù)即合成導(dǎo)納的合成導(dǎo)納取得單元,該合成阻抗為合成在上述加工對象物與中心電極之間構(gòu)成的、相互并聯(lián)連接的、依賴于上述間隙的間隙靜電電容與依賴于對上述加工對象物的激光加工中發(fā)生的等離子的等離子阻抗的阻抗;
根據(jù)上述合成導(dǎo)納的虛部,求上述間隙靜電電容與在上述等離子阻抗中包含的靜電電容成分之和即合成靜電電容的合成靜電電容取得單元;
根據(jù)上述合成導(dǎo)納的實部,求在上述等離子阻抗中包含的電阻成分的電阻成分取得單元;
使用表示上述電阻成分與上述靜電電容成分的關(guān)系的模型和由上述電阻成分取得單元求出的上述電阻成分,求上述靜電電容成分的靜電電容成分取得單元;
從上述合成靜電電容減去上述靜電電容成分,求上述間隙靜電電容的間隙靜電電容取得單元;以及
根據(jù)由上述間隙靜電電容取得單元求出的上述間隙靜電電容,求上述間隙的間隙取得單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工機(jī)用的間隙檢測裝置,其特征在于,
上述激光加工機(jī)把在求上述靜電電容成分時使用的參數(shù)的值輸入到上述間隙檢測裝置,
上述靜電電容成分取得單元使用以下的公式作為上述模型:
Rp·Cp=k
式中,
Rp:上述電阻成分
Cp:上述靜電電容成分
k:上述參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工機(jī)用的間隙檢測裝置,其特征在于,
上述靜電電容成分取得單元作為上述模型使用表示上述電阻成分與上述靜電電容成分的對應(yīng)關(guān)系的查用表。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光加工機(jī)用的間隙檢測裝置,其特征在于,
上述參數(shù)k的值設(shè)定為大于等于10-9ΩF、小于等于10-8ΩF。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光加工機(jī)用的間隙檢測裝置,其特征在于,
還具備輸入上述參數(shù)k的值的輸入單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工機(jī)用的間隙檢測裝置,其特征在于還具備:
生成經(jīng)由基準(zhǔn)電阻向上述中心電極輸入的輸入信號并輸出的信號生成單元;以及
接收上述基準(zhǔn)電阻中的上述中心電極側(cè)的一端中的信號,輸出到上述合成導(dǎo)納取得單元的緩沖電路,
上述基準(zhǔn)電阻中的上述中心電極側(cè)的一端經(jīng)由由中心電極電纜和包圍該中心電極電纜的保護(hù)電極電纜構(gòu)成的同心電纜的上述中心電極電纜而連接到上述中心電極,其中,所述保護(hù)電極電纜連接到上述緩沖電路的輸出端子,
上述合成導(dǎo)納取得單元使用以下的公式求上述合成導(dǎo)納:
式中,
j:虛數(shù)單位
ω:角頻率
Rref:上述基準(zhǔn)電阻
F(jω):從上述輸入信號到上述緩沖電路的輸出信號的頻率傳遞函數(shù)
Z(jω)-1:上述合成導(dǎo)納
A(jω)、X(jω):根據(jù)上述緩沖電路以及上述同心電纜的種類或形成上述基準(zhǔn)電阻和上述緩沖電路的基板的特性而決定的參數(shù)。
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