[發(fā)明專利]用二氟化氙選擇性蝕刻氮化鈦

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610162431.3
• 申請日: 2006-11-22
• 公開（公告）號: CN101192508A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發(fā)明（設計）人: 吳定軍;E·J·小卡瓦克基
• 申請（專利權）人: 氣體產品與化學公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3213;C23C16/00;B08B7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 呂彩霞;段曉玲

1.用于從含有二氧化硅或者氮化硅的表面選擇性蝕刻氮化鈦的方法，包括以下步驟：

將所述含有二氧化硅或者氮化硅的表面和含有二氟化氙的蝕刻劑氣體在接觸區(qū)中接觸，從而在所述二氧化硅或者氮化硅轉變成揮發(fā)性組分之前優(yōu)先將所述氮化鈦選擇性轉變成揮發(fā)性物質；和

從所述接觸區(qū)去除所述揮發(fā)性物質。

2.權利要求1的方法，其中所述二氟化氙在引入所述接觸區(qū)之前預先形成，所述接觸的溫度至少是100℃。

3.權利要求2的方法，其中所述接觸區(qū)中的壓力至少為0.1托。

4.權利要求2的方法，其中所述表面涂覆有二氧化硅。

5.權利要求2的方法，其中所述接觸過程中的溫度為150-500℃。

6.權利要求2的方法，其中所述壓力為0.2-10托。

7.權利要求1的方法，其中所述二氟化氙通過氙和氟化合物的反應而原位形成。

8.權利要求7的方法，其中所述二氟化氙的原位形成是通過氙和所述氟化合物在遠程等離子體發(fā)生器中的接觸來進行的。

9.權利要求8的方法，其中所述氟化合物選自NF₃、C₂F₆、CF₄、C₃F₈和SiF₆。

10.權利要求8的方法，其中所述接觸區(qū)中的溫度為50-500℃。

11.權利要求8的方法，其中所述蝕刻劑氣體包括所述原位形成的二氟化氙和氬氣。

12.權利要求8的方法，其中所述Xe和氟化合物的摩爾比是1∶10-10∶1。

13.權利要求8的方法，其中所述接觸區(qū)中采用的溫度是100-300℃。

14.權利要求8的方法，其中所述壓力為1-10托。

15.用于從半導體沉積室中清潔不希望有的沉積殘余物的方法，其中所述不希望有的沉積殘余物和蝕刻劑氣體接觸以將所述不希望有的殘余物轉變成揮發(fā)性物質并隨后從所述沉積室中去除所述揮發(fā)性物質，改進之處包括：

采用二氟化氙作為所述蝕刻劑氣體，從含有二氧化硅或者氮化硅表面的半導體沉積室中去除包括氮化鈦的不希望有的沉積殘余物。

16.權利要求15的方法，其中所述二氟化氙在與所述不希望有的殘余物接觸之前預先形成。

17.權利要求16的方法，其中所述接觸過程中的溫度是150-500℃，所述壓力是0.2-10托。

18.權利要求15的方法，其中所述二氟化氙通過氙和氟化合物的反應而原位形成，所述二氟化氙的原位形成是通過氙和所述氟化合物在遠程等離子體發(fā)生器中接觸來進行的。

19.權利要求18的方法，其中所述氟化合物選自NF₃、C₂F₆、CF₄、C₃F₈和SiF₆。