[發明專利]一種TFT矩陣結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200610152022.5
• 申請日: 2006-09-11
• 公開（公告）號: CN101145561A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: 王章濤;邱海軍;閔泰燁;林承武
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;G02F1/136
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉芳

1.一種TFT矩陣結構，其特征在于，包括：

一基板；

一柵線和與其一體的柵電極，形成在所述基板上，柵線和柵電極的上方依次覆蓋有第一層絕緣層、半導體層、歐姆接觸層；

一薄膜晶體管溝道形成在所述柵電極上的歐姆接觸層上；

一第二層絕緣層，形成在所述歐姆接觸層上；

一源漏電極過孔，形成在所述薄膜晶體管溝道兩側的第二層絕緣層上；

一數據線及與其一體的源電極，形成在所述第二層絕緣層的上方，并通過所述源漏電極過孔與所述柵電極上的歐姆接觸層連接；

一漏電極，形成在所述第二層絕緣層的上方，并通過所述源漏電極過孔與所述柵電極上的歐姆接觸層連接；

一鈍化層，形成在所述數據線、源電極及漏電極的上方；

一像素電極，形成在所述第二絕緣層上，并與所述漏電極部分搭接；

一凹槽，形成在所述數據線之間的柵線上，所述凹槽截斷柵線上方的歐姆接觸層并露出第一層絕緣層，所述凹槽露出第一絕緣層的上方覆蓋一層像素電極材料層。

2.根據權利要求1所述的矩陣結構，其特征在于：所述柵線、柵電極、源電極、數據線或漏電極為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu的單層膜，或者為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu之一或任意組合所構成的復合膜。

3.根據權利要求1所述的矩陣結構，其特征在于：所述第一層絕緣層、第二層柵絕緣層或鈍化層為氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

4.一種TFT矩陣結構的制造方法，其特征在于，包括：

步驟1，在基板上，依次沉積柵金屬層、第一層絕緣層、半導體層和歐姆接觸層，采用第一塊掩模版，進行掩模、曝光和刻蝕，形成柵線、柵電極和薄膜晶體管溝道部分；

步驟2，在完成步驟1的基板上沉積第二層柵絕緣層，采用第二塊掩模版，進行掩模、曝光和刻蝕后，將柵電極上方的歐姆接觸層上的部分第二層柵絕緣層刻蝕掉，形成源漏電極過孔；同時將相鄰像素間柵線上的部分第二層絕緣層刻蝕掉，形成一凹處；

步驟3，在完成步驟2的基板上沉積源漏金屬層，采用第三塊掩模版，進行掩模、曝光和刻蝕后形成源電極和漏電極，其中源電極和漏電極分別通過源漏電極過孔同歐姆接觸層連接；

步驟4，在完成步驟3的基板上沉積鈍化層，采用第四塊掩模版，進行掩模、曝光和刻蝕后形成鈍化層圖形，其中本步驟中刻蝕要刻蝕掉步驟2中凹處上方的鈍化層，并繼續刻蝕凹處下方的歐姆接觸層和半導體層，形成柵線上的凹槽；刻蝕完成后保留鈍化層上的光刻膠，接著在鈍化層上沉積像素電極材料層，最后由化學溶液剝離掉光刻膠和光刻膠上面的像素電極材料層，形成像素電極。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述步驟1中依次沉積柵金屬層、第一層絕緣層、半導體層和歐姆接觸層為連續沉積。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述步驟1中采用的掩模版為灰色調掩模版，所述灰色調掩模版曝光后，得到光刻膠未曝光區域、光刻膠部分曝光區域和光刻膠完全曝光區域，其中光刻膠未曝光區域對應形成柵線和柵電極部位；光刻膠部分曝光區域對應形成薄膜晶體管溝道部位；光刻膠完全曝光區域對應其它部分。

7.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述步驟1的刻蝕是柵金屬層、第一層絕緣層、半導體層和歐姆接觸層在多步刻蝕中一次形成。

8.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述步驟1中形成薄膜晶體管溝道時要進行過刻，將溝道區的歐姆接觸層完全刻蝕掉。