[發(fā)明專利]測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸調(diào)試方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610148081.5
• 申請(qǐng)日: 2006-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN101210946A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜競(jìng)瑜;周思洪;楊岱;馮婧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/00
• 分類號(hào): G01R31/00;G01R31/28;G01R31/02;H01L21/66
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.一種測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸調(diào)試方法，其特征在于，該接觸調(diào)試方法包括如下步驟：

a.調(diào)整吸起芯片的機(jī)械手臂與芯片插座的接觸深度，啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備的開始鍵，進(jìn)行接觸測(cè)試，使測(cè)試設(shè)備的測(cè)試結(jié)果為不通過(guò)；

b.逐步下壓機(jī)械手臂；

c.下壓機(jī)械手臂，測(cè)試設(shè)備自動(dòng)進(jìn)行循環(huán)接觸測(cè)試，直至測(cè)試設(shè)備的測(cè)試結(jié)果為通過(guò)。

2.如權(quán)利要求1所述的接觸調(diào)試方法，其特征在于：在步驟c中，每下壓機(jī)械手臂一次，測(cè)試設(shè)備自動(dòng)進(jìn)行循環(huán)接觸測(cè)試至少一次。

3.如權(quán)利要求1所述的接觸調(diào)試方法，其特征在于：在步驟c中，下壓機(jī)械手臂至少一次，測(cè)試設(shè)備自動(dòng)進(jìn)行循環(huán)接觸測(cè)試一次

4.如權(quán)利要求1或2或3所述的接觸調(diào)試方法，其特征在于；在步驟b中，機(jī)械手臂每次下壓的深度為0.1毫米。

5.如權(quán)利要求1或2或3所述的接觸調(diào)試方法，其特征在于：在步驟c中，每次接觸測(cè)試，測(cè)試設(shè)備會(huì)將芯片插座每根管腳的接觸信息及測(cè)試結(jié)果均顯示于其屏幕上。

6.如權(quán)利要求5所述的接觸調(diào)試方法，其特征在于：在步驟a中，所述芯片插座是與測(cè)試設(shè)備電性相連的。